澜起科技股份有限公司张雄获国家专利权
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龙图腾网获悉澜起科技股份有限公司申请的专利自制冷半导体电阻器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458526B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110644408.2，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权自制冷半导体电阻器及其制作方法是由张雄设计研发完成，并于2021-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本自制冷半导体电阻器及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种自制冷半导体电阻器及其制作方法，该电阻器包括：位于半导体衬底中的若干个N型阱区和若干个P型阱区，位于每个N型阱区上的第一多晶硅栅极，位于每个P型阱区上的第二多晶硅栅极，及金属互连层。若干个N型阱区和若干个P型阱区在行方向和列方向上依次交替排布，每个N型阱区中形成N型深掺杂区，每个P型阱区中形成P型深掺杂区。第一多晶硅栅极为N型深掺杂且与半导体衬底之间不具有栅绝缘层。第二多晶硅栅极为P型深掺杂且与半导体衬底之间不具有栅绝缘层。金属互连层将多个第一多晶硅栅极和多个第二多晶硅栅极连接为S形结构。本申请中，热流方向是从电阻器内部向表面的方向流动，从而实现散热制冷。
本发明授权自制冷半导体电阻器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种自制冷半导体电阻器，其特征在于，包括： 位于半导体衬底中的若干个N型阱区和若干个P型阱区，所述若干个N型阱区和若干个P型阱区在行方向和列方向上依次交替排布，每个所述N型阱区中形成N型深掺杂区，每个所述P型阱区中形成P型深掺杂区； 位于每个所述N型阱区上的第一多晶硅栅极，所述第一多晶硅栅极为N型深掺杂且与所述半导体衬底之间不具有栅绝缘层； 位于每个所述P型阱区上的第二多晶硅栅极，所述第二多晶硅栅极为P型深掺杂且与所述半导体衬底之间不具有栅绝缘层；以及 金属互连层，所述金属互连层将多个所述第一多晶硅栅极和多个所述第二多晶硅栅极连接为S形结构。
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