美光科技公司A·雷达埃利获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利垂直解码器以及相关存储器装置和方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115457993B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211037560.5,技术领域涉及:G11C5/02;该发明授权垂直解码器以及相关存储器装置和方法是由A·雷达埃利;F·佩里兹设计研发完成,并于2019-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直解码器以及相关存储器装置和方法在说明书摘要公布了:本申请实施例涉及垂直解码器以及相关存储器装置和方法。存储器装置可包含衬底、与所述衬底耦合的存储器单元阵列及与所述衬底耦合的解码器。所述解码器可经配置以作为存取操作的部分将电压施加到所述存储器单元阵列的存取线。所述解码器可包含经配置以载送施加到所述存储器单元阵列的所述存取线的所述电压的第一导电线。在一些情况中,所述解码器可包含沿第一方向例如,远离所述衬底的表面在所述第一导电线与所述存储器单元阵列的所述存取线之间延伸的掺杂材料,且所述掺杂材料可经配置以选择性地将所述解码器的所述第一导电线与所述存储器单元阵列的所述存取线耦合。
本发明授权垂直解码器以及相关存储器装置和方法在权利要求书中公布了:1.一种存储器装置,其包括: 存储器单元阵列;及 第一解码器,其与所述存储器单元阵列耦合,所述第一解码器包括: 第一导电线; 第一掺杂材料,其沿第一方向在所述第一导电线及与所述存储器单元阵列的存取线耦合的第一触点之间延伸;及 第二解码器,其与衬底耦合,所述第二解码器包括: 第二导电线;及 第二掺杂材料,其在所述第二导电线与第二触点之间延伸,其中所述第二触点的长度不同于所述第一触点的长度。
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