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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种新型高可靠性GaN HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274440B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210726924.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种新型高可靠性GaN HEMT器件及其制备方法是由袁嵩;张世杰;江希;姜涛;严兆恒;何艳静;弓小武设计研发完成，并于2022-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型高可靠性GaN HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种新型高可靠性GaNHEMT器件及其制备方法，包括：提供衬底；在衬底的一侧表面形成成核层、过渡层和势垒层，并在势垒层远离衬底的一侧制备源极和漏极；刻蚀势垒层和过渡层的两端形成台面，并在源极、漏极和势垒层远离衬底的一侧淀积HfO2薄膜，形成绝缘介质层；在绝缘介质层远离衬底的一侧制备栅极；在绝缘介质层和栅极远离衬底的一侧淀积形成钝化层；刻蚀钝化层远离衬底的一侧表面后，淀积掺氧的半绝缘多晶硅，形成栅场板；沿垂直于衬底所在平面的方向，栅场板的正投影为近似S型；在栅场板和钝化层远离衬底的一侧形成保护层，得到制备完成的GaNHEMT器件。本发明可使栅漏间的电场分布更加均匀，从而极大地提高器件的长期可靠性以及击穿效率。

本发明授权一种新型高可靠性GaN HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种新型高可靠性GaNHEMT器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底的一侧表面外延生长AlN材料，形成成核层； 在所述成核层远离衬底的一侧表面外延生长GaN材料，形成过渡层； 在所述过渡层远离衬底的一侧表面外延生长AlGaN材料，形成势垒层，并在所述势垒层远离衬底的一侧制备源极和漏极； 刻蚀所述势垒层和所述过渡层的两端形成台面，并在所述源极、漏极和势垒层远离衬底的一侧淀积HfO2薄膜，形成绝缘介质层； 在所述绝缘介质层远离衬底的一侧制备栅极； 在所述绝缘介质层和所述栅极远离衬底的一侧淀积形成钝化层；沿垂直于衬底所在平面的方向，钝化层的正投影与所述势垒层的正投影重合； 刻蚀所述钝化层远离衬底的一侧表面后，淀积掺氧的半绝缘多晶硅，形成栅场板；沿垂直于衬底所在平面的方向，所述栅极的正投影位于源、漏极的正投影之间，所述栅场板的正投影为近似S型，且所述栅场板第一端、第二端的正投影分别与栅、漏极的正投影交叠； 在所述钝化层和所述栅场板远离衬底的一侧形成保护层，得到制备完成的GaNHEMT器件。

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