无锡韦感半导体有限公司何政达获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡韦感半导体有限公司申请的专利一种微机械电容补偿结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115259069B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210724120.0，技术领域涉及：B81B3/00；该发明授权一种微机械电容补偿结构及其制备方法是由何政达;万蔡辛;赵成龙;陈骁;林谷丰;蔡春华;巩啸风;蒋樱设计研发完成，并于2022-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微机械电容补偿结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种微机械电容补偿结构及其制备方法，所述电容补偿结构呈柱体、锥体、台体或倒火山口形状，设置在电容器极板内侧，用于改变电容。在极板下方设置时，在下极板结构层上沉积牺牲层并图形化形成凹坑；沉积薄膜材料，刻蚀去除牺牲层表面介质薄膜材料，保留凹坑内介质材料；沉积电容上极板结构层薄膜材料，并图形化形成释放孔；通过释放孔释放牺牲层后得到补偿电容结构。在电容极板上方设置时，在电容下极板结构层上沉积薄膜材料，刻蚀形成凸起结构；沉积与平坦化牺牲层；沉积电容上极板并图形化形成释放孔；通过释放孔释放牺牲层后得到补偿电容结构。本发明实现了电容匹配与补偿，特别是针对差分电容结构，达到上下对称电容结构的效果。
本发明授权一种微机械电容补偿结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种微机械电容补偿结构，其特征在于， 所述电容补偿结构呈柱体、锥体、台体或倒火山口形状，其材料为高介电常数的介质，设置在电容器的极板内侧，用于改变电容； 通过在极板内侧表面设置高介电常数的电容补偿结构，实现极板间介质介电常数的改变，进而实现电容改变； 所述电容补偿结构设置在上极板下方、下极板上方、中间极板上方或和中间极板下方，用于实现某一侧电容调整或者两侧电容同时调整； 所述电容补偿结构为由氮化硅包裹氧化硅、硼硅玻璃、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、氧化铝、三氧化二钇、氧化镧、五氧化二钽、二氧化钛、二氧化铪、氧化锆材料中的一种或多种形成的复合层； 所述电容补偿结构的长度设置为极板中间的电容补偿结构短、极板两侧的电容补偿结构长。
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