美光科技公司K·K·姆奇尔拉获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于将高读取数据存储在存储器装置的低影响读取干扰页面处的方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115240745B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210429938.X，技术领域涉及：G11C16/26；该发明授权用于将高读取数据存储在存储器装置的低影响读取干扰页面处的方法和系统是由K·K·姆奇尔拉;G·普齐利;V·P·拉亚普鲁;A·马尔谢;J·菲兹帕特里克;S·S·瑞胡那森;V·莫斯基亚诺;T·吉拉尔迪设计研发完成，并于2022-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于将高读取数据存储在存储器装置的低影响读取干扰页面处的方法和系统在说明书摘要公布了：本申请案涉及将高读取数据存储在存储器装置的低影响读取干扰页面处。存储器装置的高读取数据管理器接收在存储器装置的多个字线中的第一字线上执行数据重定位操作的请求，所述存储器装置包括多个多电平存储器单元，其中每一多电平存储器单元包括多个页面；确定所述第一字线包括存储在所述多个页面中的一或多个高读取干扰页面处的数据；确定所述数据是否包括满足与存储在所述多个字线中的额外字线上的额外数据有关的阈值准则的特性；响应于确定所述数据包括满足所述阈值准则的所述特性，识别用于重定位所述数据的目标字线的所述多个页面中的一或多个低读取干扰页面；及响应于识别所述目标字线的所述一或多个低读取干扰页面，将所述数据的至少一部分存储在所述目标字线的所述一或多个低读取干扰页面处。
本发明授权用于将高读取数据存储在存储器装置的低影响读取干扰页面处的方法和系统在权利要求书中公布了：1.一种方法，其包括： 由处理装置接收在存储器装置的多个字线中的第一字线上执行数据重定位操作的请求，所述存储器装置包括多个多电平存储器单元，其中每一多电平存储器单元包括多个页面； 确定所述第一字线包括存储在所述多个页面中的一或多个高读取干扰页面处的数据； 确定所述数据是否包括满足与存储在所述多个字线中的额外字线上的额外数据有关的阈值准则的特性； 响应于确定所述数据包括满足所述阈值准则的所述特性，识别用于重定位所述数据的非空目标数据块中的目标字线； 确定邻近所述目标字线的任何字线是否具有超过对应阈值的位错误率；及 响应于确定不存在具有超过所述对应阈值的位错误率的邻近所述目标字线的字线，将所述数据的至少一部分存储在所述目标字线的一或多个低读取干扰页面处。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美光科技公司，其通讯地址为：美国爱达荷州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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