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龙图腾网获悉桂林电子科技大学申请的专利一种适用于R2R的杂化阴极界面层的有机太阳电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172604B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210779257.6，技术领域涉及：H10K85/10；该发明授权一种适用于R2R的杂化阴极界面层的有机太阳电池及其制备方法是由蔡平;宋灿;丁玲;徐溢旋;赖铭擎设计研发完成，并于2022-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于R2R的杂化阴极界面层的有机太阳电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种适用于R2R的杂化阴极界面层的有机太阳电池及其制备方法。其中，所所述杂化阴极界面层为可交联有机聚合物材料和有机稠环N型材料制备而成；所述有机稠环N型材料为主体材料，所述可交联有机聚合物材料为掺杂材料。本发明通过将可交联有机聚合物材料部分掺杂到有机稠环N型材料中，借助可交联有机聚合物材料的交联特性来提高有机稠环N型材料的可耐溶剂侵蚀性；同时，经可交联有机聚合物材料掺杂改良后的杂化阴极界面层薄膜的厚度在10‑50nm范围内变化时，其器件性能在一定的范围内变化很小，表现出一定的厚度不敏感性，非常适用于以R2R为主的加工方式的工业化生产中，从而具有良好的应用前景。

本发明授权一种适用于R2R的杂化阴极界面层的有机太阳电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种适用于R2R的杂化阴极界面层的有机太阳电池，其特征在于，所述适用于R2R的杂化阴极界面层的有机太阳电池的结构，从下至上依次包括：衬底、阴极、杂化阴极界面层、活性层、阳极界面层、阳极； 其中， 所述杂化阴极界面层为可交联有机聚合物材料和有机稠环N型材料制备而成； 所述杂化阴极界面层的制备方法包括如下步骤： 将可交联有机聚合物材料和有机稠环N型材料分别加入溶剂中，得到聚合物溶液和小分子溶液，然后将两种溶液物理共混，将所得混合液涂覆于阴极上，热处理后，得到杂化阴极界面层； 所述热处理的温度为150-200℃，处理时间为10-20min； 所述有机稠环N型材料为主体材料，所述可交联有机聚合物材料为掺杂材料； 所述可交联有机聚合物材料具有如下结构通式： 其中， Rx为含有可交联的基团； RY为不含含有芳基的烷基链，或含有水醇溶性的基团的烷基链； 所述有机稠环N型材料选自小分子； 所述小分子具有如下结构通式： 其中， Rz为含有水醇溶性的基团的烷基链； 所述有机稠环N型材料和可交联有机聚合物材料的质量比为100:1-100:7； 所述杂化阴极界面层的厚度为10-50nm。

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