株式会社国际电气上田立志获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115116826B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111615236.2，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置是由上田立志;中山雅则;舟木克典;坪田康寿;井川博登;山角宥贵;岸本宗树;竹岛雄一郎;市村圭太设计研发完成，并于2021-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置。在使用经等离子体激发的含氧气体对在衬底上形成的硅膜和硅氮化膜进行氧化时，将上述膜选择性地氧化而形成氧化层。包括a将包含氧及氢的处理气体进行等离子体激发而生成反应种的工序；b将反应种供给至衬底，将分别露出于衬底之上而形成的硅膜及硅氮化膜的表面进行氧化的工序，其中，处理气体中所含的氧与氢的比率被以下述方式进行了调节，即，使得在b中，将硅氮化膜的表面氧化而形成的第2氧化层的厚度相对于将硅膜的表面氧化而形成的第1氧化层的厚度而言的比率成为规定的厚度比率。
本发明授权半导体器件的制造方法、衬底处理方法、记录介质及衬底处理装置在权利要求书中公布了：1.半导体器件的制造方法，其包括下述工序： a将包含氧及氢的处理气体进行等离子体激发而生成反应种的工序；和 b将所述反应种供给至衬底，将分别露出于所述衬底之上而形成的硅膜及硅氮化膜的表面进行氧化的工序， 其中，所述处理气体中所含的氧与氢的比率被以下述方式进行了调节，即，使所述处理气体中所含的氢相对于氧与氢的合计而言的比率为5％以上20％以下，并且，使得在b中将所述硅氮化膜的表面氧化而形成的第2氧化层的厚度相对于将所述硅膜的表面氧化而形成的第1氧化层的厚度而言的比率成为67％以上90％以下的规定的厚度比率。
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