芯盟科技有限公司余兴获国家专利权
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龙图腾网获悉芯盟科技有限公司申请的专利键合用结构及其制备方法、以及半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101494B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210619825.6，技术领域涉及：H01L23/485；该发明授权键合用结构及其制备方法、以及半导体装置是由余兴;白福善;孙鹏设计研发完成，并于2022-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本键合用结构及其制备方法、以及半导体装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种键合用结构及其制备方法、以及半导体装置。本发明提供的种键合用结构的制备方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆为待键合晶圆；在氧气环境下，通入气化的正硅酸乙酯和气化的含磷化合物或含硼化合物，在一定温度下进行反应，以在所述晶圆表面生长吸收层；停止供应气化的含磷化合物或含硼化合物，只通入气化的正硅酸乙酯，在所述吸收层的表面生长键合层，所述键合层的表面作为键合面。本发明通过采用键合层加吸收层的复合结构，吸收键合过程中产生的水分子，有效避免键合过程中产生的水分子扩散到硅结构中并与硅反应，生成氢气，从而有效减少键合界面的气泡并促进键合界面的细微间隙快速闭合，提高键合的稳定性。
本发明授权键合用结构及其制备方法、以及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种键合用结构，其特征在于，包括： 晶圆，所述晶圆为待键合晶圆； 键合层，设置在所述晶圆的表面，所述键合层的表面作为键合面； 吸收层，设置在所述晶圆与所述键合层之间，以吸收键合过程中产生的水分子，且所述吸收层与水分子发生化学反应，并生成固体产物，所述吸收层包括磷掺杂的氧化硅膜或硼掺杂的氧化硅膜。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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