西安电子科技大学芜湖研究院邱慧嫣获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种增强型场效应晶体管的制备方法及器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101413B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210573399.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种增强型场效应晶体管的制备方法及器件是由邱慧嫣;黄永;常娟雄;程晨言;杨旭豪;王宇轩;王霄;陈财;邵语嫣设计研发完成，并于2022-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种增强型场效应晶体管的制备方法及器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种增强型场效应晶体管的制备方法及器件，其中的方法包括如下步骤：获取制备基底；制备基底包括衬底层以及依次生长于衬底层上的沟道层和势垒层；在镁源气氛下在制备基底上依次生长AlGaN基体层和GaN量子点，并在完成GaN量子点的生长后，关闭镓源而保持氮源通入预设时间；关闭镁源，在GaN量子点上生长AlGaN掩埋层；多次循环生长AlGaN基体层、GaN量子点和AlGaN掩埋层，并刻蚀形成P‑AlGaN栅极介质层；在势垒层上生长源极和漏极，在P‑AlGaN栅极介质层生长栅极。本发明中的方法，能够提高制备得到的增强型器件的击穿电压，降低其导通电阻。
本发明授权一种增强型场效应晶体管的制备方法及器件在权利要求书中公布了：1.一种增强型场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 获取制备基底；所述制备基底包括衬底层以及依次生长于所述衬底层上的沟道层和势垒层； 在镁源气氛下在所述制备基底上依次生长AlGaN基体层和GaN量子点，并在完成所述GaN量子点的生长后，关闭镓源而保持氮源通入预设时间； 关闭镁源，在所述GaN量子点上生长AlGaN掩埋层； 多次循环生长所述AlGaN基体层、所述GaN量子点和所述AlGaN掩埋层，并刻蚀形成P-AlGaN栅极介质层； 在所述势垒层上生长源极和漏极，在所述P-AlGaN栅极介质层生长栅极。
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