长江存储科技有限责任公司王溢欢获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利三维存储器、三维存储器的制备方法以及存储器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115036318B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210597658.X，技术领域涉及：H10B41/27；该发明授权三维存储器、三维存储器的制备方法以及存储器系统是由王溢欢;肖亮;伍术;黄武根;李倩设计研发完成，并于2022-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维存储器、三维存储器的制备方法以及存储器系统在说明书摘要公布了：本申请提供一种三维存储器、三维存储器的制备方法以及存储器系统，该制备方法包括：在衬底上形成堆叠层以及形成穿过堆叠层并延伸至衬底中的多个沟道结构，堆叠层包括核心区以及与核心区邻接的过渡区，多个沟道结构包括位于核心区的第一沟道结构和位于过渡区的第二沟道结构，衬底包括基底以及位于基底和堆叠层之间的停止层；去除基底；在停止层的背离所述堆叠层的一侧上形成沿平行于停止层的方向上至少覆盖第二沟道结构的保护层；以及去除停止层对应核心区的一部分之后，去除保护层。
本发明授权三维存储器、三维存储器的制备方法以及存储器系统在权利要求书中公布了：1.三维存储器的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底上形成堆叠层，所述堆叠层包括核心区以及与所述核心区邻接的过渡区，所述衬底包括基底以及位于所述基底和所述堆叠层之间的停止层； 形成穿过所述堆叠层并延伸至所述衬底中的多个沟道结构，所述多个沟道结构包括位于所述核心区的第一沟道结构和位于所述过渡区的第二沟道结构，所述第一沟道结构延伸至所述停止层中并包括第一沟道层，至少一个所述第二沟道结构贯穿所述停止层并延伸至所述基底中，并包括第二沟道层； 至少去除所述基底，以暴露所述停止层和所述第二沟道层的一部分； 在所述停止层的背离所述堆叠层的一侧上形成沿平行于所述停止层的方向上至少覆盖所述第二沟道层的保护层； 去除所述停止层对应所述核心区的一部分，以暴露出所述第一沟道结构的一部分； 去除所述保护层，并暴露出所述第一沟道层的一部分；以及 形成与所述第一沟道层和所述第二沟道层接触的半导体层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励