株式会社理光纸英利获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社理光申请的专利电子装置及其生产方法、成像方法和成像设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114981987B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080093712.6，技术领域涉及：H10K85/40；该发明授权电子装置及其生产方法、成像方法和成像设备是由纸英利;浅野友晴;井上龙太设计研发完成，并于2020-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本电子装置及其生产方法、成像方法和成像设备在说明书摘要公布了：一种电子装置，其包括：载体；包含电荷传输材料的电荷传输层或包含增感染料的增感染料电极层，其中该电荷传输层或增感染料电极层被设置在载体上或上方；含硅层，其被设置在电荷传输层或增感染料电极层上或上方；以及金属氧化物膜，其被设置在含硅层上或上方，其中比率[QACLQCTL]为10％或更大，其中QACL是通过飞行时间法测量的电子装置ACL的瞬态光电流波形的时间积分，和QCTL是通过飞行时间法测量的电子装置CTL的瞬态光电流波形的时间积分。
本发明授权电子装置及其生产方法、成像方法和成像设备在权利要求书中公布了：1.一种电子装置，其包括： 载体； 包含电荷传输材料的电荷传输层或包含增感染料的增感染料电极层，其中所述电荷传输层或所述增感染料电极层被设置在所述载体上或上方； 含硅层，其被设置在所述电荷传输层或所述增感染料电极层上或上方；和 金属氧化物膜，其设置在所述含硅层上或上方， 其中比率[QACLQCTL]为10％或更大，其中QACL是通过飞行时间法测量的电子装置ACL的瞬态光电流波形的时间积分，和QCTL是通过飞行时间法测量的电子装置CTL的瞬态光电流波形的时间积分， 其中所述电子装置ACL具有所述含硅层作为最外层，并且通过从所述电子装置去除所述金属氧化物膜而获得，并且 其中所述电子装置CTL具有所述电荷传输层或所述增感染料电极层作为最外层，并且通过从所述电子装置去除所述金属氧化物膜和所述含硅层而获得， 其中所述金属氧化物膜包括铜铁矿氧化物和二氧化硅。
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