西安隆基乐叶光伏科技有限公司杨苗获国家专利权
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龙图腾网获悉西安隆基乐叶光伏科技有限公司申请的专利太阳能电池及其生产方法、生产系统，光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114937705B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210448598.5，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权太阳能电池及其生产方法、生产系统，光伏组件是由杨苗;曲铭浩;徐希翔设计研发完成，并于2022-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池及其生产方法、生产系统，光伏组件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种太阳能电池及其生产方法、生产系统，光伏组件，涉及光伏技术领域。太阳能电池包括：硅基底；在硅基底的向光面的局部区域有至少一个第一掺杂区域；各个第一掺杂区域的掺杂类型和硅基底的掺杂类型均相同，且各个第一掺杂区域的掺杂浓度均大于硅基底的掺杂浓度；依次层叠分布在硅基底、以及第一掺杂区域的向光侧上的化学钝化膜、场钝化减反射膜；位于硅基底的向光侧的至少一个正面栅线电极；至少一个正面栅线电极和至少一个第一掺杂区域相互接触。本发明的太阳能电池中，俄歇复合较少，工艺匹配性能好，具有良好的光电转换效率，且可以降低生产成本。
本发明授权太阳能电池及其生产方法、生产系统，光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括： 硅基底； 所述硅基底的向光面的局部区域有至少一个第一掺杂区域；各个所述第一掺杂区域的掺杂类型和所述硅基底的掺杂类型均相同，且各个所述第一掺杂区域的掺杂浓度均大于所述硅基底的掺杂浓度；所述第一掺杂区域位于从所述硅基底的向光面开始，向所述硅基底内部的0.1-0.5um内； 依次层叠分布在所述硅基底、以及所述第一掺杂区域的向光侧上的化学钝化膜、场钝化减反射膜； 依次层叠分布在所述硅基底的背光侧的本征非晶硅膜、与所述硅基底掺杂类型不同的掺杂非晶硅膜； 位于所述硅基底的向光侧的至少一个正面栅线电极；至少一个所述正面栅线电极和至少一个所述第一掺杂区域相互接触。
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