山东华光光电子股份有限公司孙春明获国家专利权
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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种改善宽脊条热透镜效应的半导体激光器芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114725777B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210199295.4，技术领域涉及：H01S5/22；该发明授权一种改善宽脊条热透镜效应的半导体激光器芯片是由孙春明;吴凯;苏建;刘琦设计研发完成，并于2022-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种改善宽脊条热透镜效应的半导体激光器芯片在说明书摘要公布了：本发明公开一种改善宽脊条热透镜效应的半导体激光器芯片，所述芯片的P型限制层呈脊型台状，其两侧呈向内凹陷的凹槽。所述凹槽表面覆盖有绝缘层。所述脊型台的顶面上覆盖欧姆接触层。所述绝缘层和欧姆接触层上覆盖有P面电极层，且该P面电极层与所述凹槽处的绝缘层之间形成孔洞。本发明的半导体激光器芯片结构将脊型台状的P型限制层的两侧壁设置成向内凹陷的凹槽状结构，从而在此处形成孔洞结构，由于绝缘层和孔洞中空气散热系数很低，进而使得脊P型限制层侧壁处散热效率变差，消除了P型限制层在侧壁方向向上的凸形温度分布，实现P型限制层中间区域与边缘区域的温度一致，进而消除了热透镜效应，有效提高了半导体激光器的光束质量。
本发明授权一种改善宽脊条热透镜效应的半导体激光器芯片在权利要求书中公布了：1.一种改善宽脊条热透镜效应的半导体激光器芯片，其中， 所述芯片的P型限制层呈脊型台状，其两侧呈向内凹陷的凹槽； 所述凹槽表面覆盖有绝缘层；所述脊型台的顶面上覆盖欧姆接触层； 所述绝缘层和欧姆接触层上覆盖有P面电极层，且该P面电极层与所述凹槽处的绝缘层之间形成孔洞。
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