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龙图腾网获悉山东华光光电子股份有限公司申请的专利一种可精确控制高度的半导体激光器垂直脊型结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114696216B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011609341.0，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种可精确控制高度的半导体激光器垂直脊型结构的制作方法是由任夫洋;苏建;郑兆河;徐现刚设计研发完成，并于2020-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可精确控制高度的半导体激光器垂直脊型结构的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种可精确控制高度的半导体激光器垂直脊型结构的制作方法，包括以下步骤：生长半导体外延膜层及ESL；在外延片上依次形成一次二氧化硅掩膜和一次光刻胶掩膜，并光刻成周期性的脊条窗口；ICP刻蚀氧化硅掩膜；继续ICP刻蚀外延层至一定深度，形成窄脊条结构；去除残留光刻胶；腐蚀GaAs接触层，形成内缩结构；生长并ICP刻蚀二次二氧化硅掩膜；湿法腐蚀外延膜层至腐蚀阻挡层；去除掩膜后生长SiO2电流阻挡层，并形成二次光刻胶掩膜图形；ICP刻蚀去除GaAs顶部的电流阻挡层，漏出电流注入窗口，完成脊型结构制作。采用干法刻蚀和湿法腐蚀相结合的方式，脊型高度可精确控制，侧壁垂直，同时减小脊条上的电流注入区域，提高了电流注入密度。

本发明授权一种可精确控制高度的半导体激光器垂直脊型结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种可精确控制高度的半导体激光器垂直脊型结构的制作方法，其特征在于，操作步骤如下： 1在衬底上自下而上依次生长下限制层、下波导层、有源层、上波导层、腐蚀阻挡层、上限制层和GaAs接触层，制作外延片； 2利用PVD或PECVD在外延片上沉积SiO2做干法刻蚀掩膜； 3在生长有掩膜的外延片上旋涂光刻胶，利用设定尺寸的光刻版光刻得到与脊条尺寸相适应的周期性光刻胶掩膜图形，并进行坚膜和烘烤，脊条尺寸为宽度≤5μm，光刻胶的厚度为10000Å～50000Å； 4使用ICP刻蚀以光刻胶为掩膜的SiO2，形成窄条结构； 5继续使用ICP刻蚀窄条结构形成脊条结构，控制刻蚀深度距腐蚀阻挡层500～2000Å； 6采用ICP刻蚀等离子去胶或化学方法去除光刻胶； 7利用湿法选择性腐蚀的特点，使用GaAs专用腐蚀液腐蚀GaAs接触层，形成GaAs接触层内缩的脊条结构； 8采用PVD磁控溅射的方式二次生长SiO2掩膜，使整个脊条表面包括内缩后的GaAs表面包覆一层SiO2二次掩膜，二次掩膜厚度为1000Å～3000Å； 9使用ICP干法刻蚀二次掩膜，控制刻蚀条件，将刻蚀槽内的SiO2刻蚀干净的同时，保证脊条表面及内缩的GaAs表面仍有SiO2剩余； 10利用选择性腐蚀的特点，使用盐酸溶液继续腐蚀外延膜层至腐蚀阻挡层； 11使用二氧化硅腐蚀液去除所述SiO2掩膜，形成侧壁垂直且深度可控的脊条结构； 12利用PECVD在制备好的样品上生长一层SiO2电流阻挡层； 13在所述电流阻挡层上旋涂光刻胶，然后利用光刻显影、坚膜和烘烤，控制光刻胶的厚度8000Å～20000Å； 14使用ICP干法刻蚀，将GaAs顶部的SiO2电流阻挡层充分刻蚀掉，保留其他区域的SiO2电流阻挡层。

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