TCL科技集团股份有限公司宋音洁获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利一种发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114695702B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011632264.0，技术领域涉及：H10K50/16；该发明授权一种发光二极管及其制备方法是由宋音洁;周礼宽;杨一行设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种发光二极管及其制备方法。所述发光二极管，包括：依次层叠设置的阳极、发光层、电子传输层、阴极，其中，所述电子传输层和阴极之间设置有电子传输过渡层；其中，所述电子传输层含有金属氧化物，所述电子传输过渡层含有亲核试剂。本发明在电子传输层和阴极之间沉积一层含有亲核试剂的电子传输过渡层，所述亲核试剂具有未共用电子对能够和电子传输层界面处的氧化物形成共用电子对，可以改变氧化物的晶体结构，能够降低发光二极管的电子传输效率，达到平衡电子传输速率和空穴传输速率的效果，进而提高发光二极管发光效率和使用寿命。
本发明授权一种发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，包括：依次层叠设置的阳极、发光层、电子传输层、阴极，其特征在于，所述电子传输层和阴极之间设置有电子传输过渡层，所述电子传输层含有金属氧化物，所述电子传输过渡层含有亲核试剂； 所述亲核试剂的结构式为其中，R1、R2、R3分别独立地选自烃基； 或者，所述亲核试剂的结构式为其中，R4、R5、R6分别独立地选自烃基； 所述烃基为直链烃基且烃基的碳原子数大于5。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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