常州机电职业技术学院黄小丹获国家专利权
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龙图腾网获悉常州机电职业技术学院申请的专利基于表面晶格共振的光学传感器及其测试方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114689549B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210440456.4,技术领域涉及:G01N21/59;该发明授权基于表面晶格共振的光学传感器及其测试方法是由黄小丹;季小峰;钱月霞;马慧姝;王诗军设计研发完成,并于2022-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于表面晶格共振的光学传感器及其测试方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于表面晶格共振的光学传感器及其测试方法,基于表面晶格共振的光学传感器包括基底及位于基底上的硅二氧化硅纳米柱二聚体阵列;其中,所述硅二氧化硅纳米柱二聚体阵列由硅二氧化硅纳米柱二聚体周期性均匀排布而成;所述硅二氧化硅纳米柱二聚体包括两个间隔设置的硅二氧化硅纳米柱。本发明的基于表面晶格共振的光学传感器的表面晶格共振可调节,且该表面晶格共振具有较窄的带宽、高增强的局域电磁场,能有效增强传感的灵敏度和品质因数。
本发明授权基于表面晶格共振的光学传感器及其测试方法在权利要求书中公布了:1.一种基于表面晶格共振的光学传感器,其特征在于, 它包括基底1及位于基底1上的硅二氧化硅纳米柱二聚体阵列;其中, 所述硅二氧化硅纳米柱二聚体阵列由硅二氧化硅纳米柱二聚体周期性均匀排布而成; 所述硅二氧化硅纳米柱二聚体包括两个间隔设置的硅二氧化硅纳米柱; 所述硅二氧化硅纳米柱包括从上到下依次设置的硅纳米柱2和二氧化硅纳米柱3。
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