苏州罗岛纳米科技有限公司凌新生获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州罗岛纳米科技有限公司申请的专利芯片、芯片制备方法及固态纳米孔微阵列装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114682311B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011626564.8，技术领域涉及：B01L3/00；该发明授权芯片、芯片制备方法及固态纳米孔微阵列装置是由凌新生;曹铭设计研发完成，并于2020-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片、芯片制备方法及固态纳米孔微阵列装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种芯片、芯片制备方法及固态纳米孔微阵列装置，芯片制备方法包括：步骤S1：选取并清洗SOI硅片；步骤S2：在SOI硅片的两面分别制作掩膜层；步骤S3：在掩膜层上分别刻蚀出至少两条轨迹线，以露出SOI硅片的硅层，同一掩膜层上的轨迹线平行，不同掩膜层上的轨迹线呈预设角度相交；步骤S4：分别腐蚀SOI硅片两面露出的硅层，并沿着轨迹线形成V形槽，以露出SOI的埋氧层；步骤S5：从SOI硅片的两面分别腐蚀埋氧层，以在两面硅层的V形槽交汇处形成纳米孔；步骤S6：切片形成芯片。本发明避免了TEMHIM打孔的步骤，降低了成本。且芯片上阵列有多个纳米孔，一次可以完成多个测试任务，提高了测试效率。
本发明授权芯片、芯片制备方法及固态纳米孔微阵列装置在权利要求书中公布了：1.一种芯片制备方法，其特征在于，包括： 步骤S1：选取并清洗SOI硅片； 步骤S2：在所述SOI硅片的两面分别制作掩膜层； 步骤S3：在所述SOI硅片两面的掩膜层上分别刻蚀出至少两条轨迹线，以露出所述SOI硅片的硅层，同一所述掩膜层上的轨迹线平行，不同所述掩膜层上的轨迹线呈预设角度相交； 步骤S4：分别腐蚀所述SOI硅片两面露出的硅层，并沿着所述轨迹线形成V形槽，以露出所述SOI的埋氧层； 步骤S5：从所述SOI硅片的两面分别腐蚀埋氧层，以在两面所述硅层的V形槽交汇处形成纳米孔； 步骤S6：切片形成芯片； 所述步骤S5和所述步骤S6之间还包括步骤S7：判断所述纳米孔的尺寸是否大于预设尺寸，若是，则转步骤S8，若否，则转所述步骤S6； 步骤S8：缩小所述纳米孔至预设尺寸。
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