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龙图腾网获悉桑迪士克科技有限责任公司申请的专利用于减轻擦除干扰的对未选定子块抑制偏置的温度补偿获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114596904B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110663409.1，技术领域涉及：G11C16/16；该发明授权用于减轻擦除干扰的对未选定子块抑制偏置的温度补偿是由S·普腾热亚当;曾怀远设计研发完成，并于2021-06-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于减轻擦除干扰的对未选定子块抑制偏置的温度补偿在说明书摘要公布了：本发明题为“用于减轻擦除干扰的对未选定子块抑制偏置的温度补偿”。本发明提供了一种存储器装置和操作方法。该装置包括块，该块具有连接到字线并布置成串的存储器单元并且被分成各自被配置为在擦除操作中作为整体被擦除的第一子块和第二子块。该装置具有温度测量电路，该温度测量电路被配置为检测该装置的环境温度。控制电路被配置为基于该环境温度来确定字线禁止电压。该控制电路将擦除电压施加到该串中的每个串，同时将字线擦除电压施加到与该第一子块和该第二子块中的选定一者相关联的该字线以促进擦除，并将该字线禁止电压施加到与该第一子块和该第二子块中的未选定一者相关联的该字线以在该擦除操作中阻止擦除。

本发明授权用于减轻擦除干扰的对未选定子块抑制偏置的温度补偿在权利要求书中公布了：1.一种装置，所述装置包括： 块，所述块包括存储器单元，所述存储器单元连接到字线并被布置成串，所述块被分成各自被配置为在擦除操作中作为整体被擦除的第一子块和第二子块，其中所述字线在叠堆中彼此重叠，并且所述串中的每个串包括存储器孔，所述存储器孔竖直延伸穿过所述叠堆并具有多个层，所述多个层包括在所述叠堆中彼此竖直对准的下层和上层，并且所述下层包括所述存储器单元的所述第一子块，并且所述上层包括所述存储器单元的所述第二子块，并且所述擦除操作选自由双侧擦除操作、源极侧擦除操作和漏极侧擦除操作组成的组，并且所述串中的每个串耦接到所述串中的每个串的漏极侧上的位线以及所述串中的每个串的源极侧上的源极线； 温度测量电路，所述温度测量电路被配置为检测所述装置的环境温度；和 控制电路，所述控制电路耦接到所述字线和所述串以及所述温度测量电路，并且被配置为： 基于所述环境温度确定字线禁止电压， 将擦除电压施加到所述串中的每个串，同时将字线擦除电压施加到与所述第一子块和所述第二子块中的选定一者相关联的所述字线以促进所述存储器单元的擦除，并将所述字线禁止电压施加到与所述第一子块和所述第二子块中的未选定一者相关联的所述字线以在所述擦除操作中阻止所述存储器单元的擦除； 在所述漏极侧擦除操作期间，将所述擦除电压施加到与所述第一子块和所述第二子块中的选定一者相关联的所述串中的每个串的所述位线， 在所述源极侧擦除操作期间，将所述擦除电压施加到与所述第一子块和所述第二子块中的选定一者相关联的所述串中的每个串的所述源极线，以及 在所述双侧擦除操作期间，将所述擦除电压施加到与所述第一子块和所述第二子块中的选定一者相关联的所述串中的每个串的所述位线和所述源极线两者。

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