西安微电子技术研究所张宁获国家专利权
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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种形成三维立体堆叠芯片结构的底部填充方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582842B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210190254.9，技术领域涉及：H10D88/00；该发明授权一种形成三维立体堆叠芯片结构的底部填充方法是由张宁;胡佳伟;李宝霞;严秋成设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种形成三维立体堆叠芯片结构的底部填充方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种形成三维立体堆叠芯片结构的底部填充方法，针对已划片的、尺寸差异不大的单颗芯片，通过临时键合工艺将待填充产品固定在上下两个载片之间，制作出施胶区域，待胶水固化后再解键合去除临时键合载片，载片起到承载胶水的作用且形成一个毛细通道，临时键合材料可对产品与载片之间起到很好地连接和保护作用，不会导致胶水流入产品与载片之间而污染产品表面，且胶水固化后通过解键合工艺可方便的去除临时键合材料及载片。该方法的公开有益于缩小三维集成尺寸、提高集成度，该方法无需多种填充胶水的使用，工艺简单。
本发明授权一种形成三维立体堆叠芯片结构的底部填充方法在权利要求书中公布了：1.一种形成三维立体堆叠芯片结构的底部填充方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，堆叠芯片，对相邻的芯片进行互连键合，形成堆叠键合芯片结构； 步骤1中，所有芯片的形状相同，下层芯片的长≥上层芯片的长，下层芯片的宽≥上层芯片的宽； 步骤2，在临时键合载片5上涂布临时键合材料4，将堆叠键合芯片结构置于临时键合载片5上，所述临时键合材料4在临时键合载片5和堆叠键合芯片结构之间，形成过程堆叠结构一； 步骤2中，堆叠键合芯片结构的高度大于1.2mm，在两个临时键合载片5上涂布临时键合材料4，将堆叠键合芯片结构置于两个临时键合载片5之间； 步骤3，对过程堆叠结构一输入外力，形成过程堆叠结构二； 步骤4，针对过程堆叠结构二，在临时键合载片5上施加底部填充胶水，胶水流动并填充芯片之间的缝隙之间后，进行底部填充固化，形成过程堆叠结构三； 步骤4中，在两个临时键合载片5上施加底部填充胶水； 步骤5，对过程堆叠结构三进行解键合去除临时键合载片5，通过溶液浸泡去除临时键合材料4。
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