TCL科技集团股份有限公司何斯纳获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL科技集团股份有限公司申请的专利复合材料及其制备方法与量子点发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114520294B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011303898.1，技术领域涉及：H10K50/15；该发明授权复合材料及其制备方法与量子点发光二极管是由何斯纳;吴龙佳;吴劲衡设计研发完成，并于2020-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本复合材料及其制备方法与量子点发光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开复合材料及其制备方法与量子点发光二极管。所述复合材料包括MoO3纳米材料和有机化合物，所述有机化合物为稠环烃或其衍生物，所述MoO3纳米材料中的钼原子与所述有机化合物中的碳原子结合，所述MoO3纳米材料中的氧原子与所述有机化合物中的氢原子结合，所述MoO3纳米材料的LUMO能级低于所述有机化合物的LUMO能级。本发明中，由于MoO3的LUMO能级低于稠环烃或其衍生物的HOMO轨道能级，所以稠环烃或其衍生物的HOMO能级上的电子很容易转移到MoO3的LUMO能级上，形成自由的空穴，从而提高了空穴传输性能，进而提高了量子点发光二极管发光效率。
本发明授权复合材料及其制备方法与量子点发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种复合材料，其特征在于，所述复合材料包括MoO3纳米材料和有机化合物， 所述有机化合物为吸电子基团取代的并五苯，所述吸电子基团为-F、-Br、-Cl、-CN和-NO3中的一种或多种， 所述MoO3纳米材料中的钼原子与所述有机化合物中的碳原子结合，所述MoO3纳米材料中的氧原子与所述有机化合物中的氢原子结合， 所述MoO3纳米材料的LUMO能级低于所述有机化合物的LUMO能级。
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