赛普拉斯半导体公司拉舍德·艾哈迈德获国家专利权
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龙图腾网获悉赛普拉斯半导体公司申请的专利用于提高效率的次级受控有源钳位实现方式获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114270686B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080058808.9，技术领域涉及：H02M3/335；该发明授权用于提高效率的次级受控有源钳位实现方式是由拉舍德·艾哈迈德;哈里翁·拉伊设计研发完成，并于2020-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于提高效率的次级受控有源钳位实现方式在说明书摘要公布了：描述了控制次级受控有源钳位转换器中的有源钳位场效应晶体管FET。在一个实施方式中，装置包括：耦接至变压器的初级侧FET；耦接至变压器的次级侧FET；以及布置在变压器的初级侧上的有源钳位FET。次级侧控制器被配置成跨电流隔离势垒控制有源钳位FET。
本发明授权用于提高效率的次级受控有源钳位实现方式在权利要求书中公布了：1.一种次级侧受控交流至直流AC-DC转换器，包括： 初级侧FET； 次级侧FET； 所述AC-DC转换器的变压器，其中，所述变压器耦接至所述初级侧FET和所述次级侧FET； 耦接至所述初级侧FET的有源钳位FET，其中，所述有源钳位FET布置在所述变压器的初级侧上；以及 耦接至所述变压器的次级侧控制器，其中，所述次级侧控制器被配置成生成第一控制信号和第二控制信号，所述第一控制信号跨耦接在初级侧控制器与所述次级侧控制器之间的第一脉冲变压器经由所述初级侧控制器控制所述初级侧FET，以及所述第二控制信号跨第二脉冲变压器所提供的电流隔离势垒控制所述有源钳位FET，其中，所述有源钳位FET的栅极直接耦接至所述第二脉冲变压器的初级绕组。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人赛普拉斯半导体公司，其通讯地址为：美国加利福尼亚州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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