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龙图腾网获悉株洲中车时代半导体有限公司申请的专利沟槽的形成方法、半导体器件的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220736B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111539827.6，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权沟槽的形成方法、半导体器件的制备方法及半导体器件是由赵艳黎;龚芷玉;王志成;杨毅;潘昭海;罗海辉设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽的形成方法、半导体器件的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种沟槽的形成方法、半导体器件的制备方法及半导体器件，该沟槽的形成方法包括在所述衬底上方形成第一掩膜层和第二掩膜层；其中，所述第一掩膜层上设置有贯穿所述第一掩膜层的第一刻蚀窗口和第二刻蚀窗口，所述第二掩膜层至少覆盖所述第二刻蚀窗口的底部且不覆盖所述第一刻蚀窗口，所述第二掩膜层的厚度小于所述第一掩膜层的厚度；通过所述第一刻蚀窗口和第二刻蚀窗口，以第一掩膜层为掩膜，同时对所述第二掩膜层和所述衬底进行刻蚀，以分别在所述第一刻蚀窗口和所述第二刻蚀窗口下方形成深度不同的第一沟槽和第二沟槽。该方法对衬底的进行一次刻蚀同时形成不同深度的双沟槽结构，工艺流程简单，简化了双沟槽的制备工艺。

本发明授权沟槽的形成方法、半导体器件的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种沟槽的形成方法，其特征在于，包括： 提供一衬底； 在所述衬底上方形成第一掩膜层和第二掩膜层；其中，所述第一掩膜层上设置有贯穿所述第一掩膜层的第一刻蚀窗口和第二刻蚀窗口，所述第二掩膜层至少覆盖所述第二刻蚀窗口的底部且不覆盖所述第一刻蚀窗口，所述第二掩膜层的厚度小于所述第一掩膜层的厚度； 在所述衬底上方形成第一掩膜层和第二掩膜层，包括以下步骤：形成第一掩膜层，并对所述第一掩膜层进行图案化处理，以形成贯穿所述第一掩膜层的第一刻蚀窗口和第二刻蚀窗口；形成第二掩膜层，并对所述第二掩膜层进行图案化处理，以形成贯穿所述第二掩膜层的第三刻蚀窗口；其中，所述第三刻蚀窗口与所述第一刻蚀窗口对应设置； 以所述第一掩膜层和所述第二掩膜层为掩膜，同时对所述第二刻蚀窗口底部的所述第二掩膜层以及所述第一刻蚀窗口和所述第二刻蚀窗口下方的所述衬底进行刻蚀，以分别在所述第一刻蚀窗口和所述第二刻蚀窗口下方形成第一沟槽和第二沟槽；其中，所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度。

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