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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利全局快门CMOS图像传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078889B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010832325.1，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权全局快门CMOS图像传感器及其制造方法是由田志;顾珍;邵华;陈昊瑜设计研发完成，并于2020-08-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本全局快门CMOS图像传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种全局快门CMOS图像传感器，采用非均匀存储扩散区掺杂来降低存储点的漏电，保证随光电二极管深度增加，像素增加时，后面读取行的载流子可以全部转移到存储扩散区，并保证全局快门晶体管开启时，不引起存储扩散区中载流子的丢失，并保证逐行读出时，即便像素单元行数增加，载流子从存储扩散区也可以通过第二转移管完全转移到浮动扩散区。本发明还公开了该全局快门CMOS图像传感器的制造方法。

本发明授权全局快门CMOS图像传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种全局快门CMOS图像传感器，其特征在于，其包括前后依次排列的N行像素单元，各像素单元包括依次排布的第一复位区105、全局快门晶体管M1、光电二极管、第一转移管M2、存储扩散区106、第二转移管M3、浮动扩散区108、复位管M4及第二复位区109； 所述光电二极管包括第二导电类型的半导体层101，及形成在所述半导体层101顶部的第一导电类型的第一感光掺杂区103； 所述存储扩散区106具有第一导电类型掺杂，所述第一感光掺杂区103和所述存储扩散区106之间的所述半导体层101的顶部形成有第一转移管M2的栅极结构； 所述第一复位区105具有第一导电类型掺杂，所述第一复位区105用于和电源电压连接，所述第一感光掺杂区103和所述第一复位区105之间的所述半导体层101的顶部形成有全局快门晶体管M1的栅极结构； 在所述第一感光掺杂区103的表面形成有第二导电类型掺杂的钉扎层104； 所述浮动扩散区108和所述存储扩散区106之间的所述半导体层101的顶部形成有第二转移管M3的栅极结构； 所述复位管M4的栅极结构形成在所述浮动扩散区108和第二复位区109之间； 所述第二复位区109具有第一导电类型掺杂，所述第二复位区109和电源电压连接； 所述浮动扩散区108和所述第二复位区109都形成在第二导电类型阱107中； 所述N行像素单元的前M行的存储扩散区106的第一导电类型掺杂的浓度小于剩余的后N-M行的存储扩散区106的第一导电类型掺杂的浓度，N为大于10的整数，M为小于或等于N2的正整数。

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