诺思(天津)微系统有限责任公司庞慰获国家专利权
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龙图腾网获悉诺思(天津)微系统有限责任公司申请的专利带冗余结构的半导体结构及制造方法、电子设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114070254B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010785736.X,技术领域涉及:H03H9/205;该发明授权带冗余结构的半导体结构及制造方法、电子设备是由庞慰;张巍;张孟伦设计研发完成,并于2020-08-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本带冗余结构的半导体结构及制造方法、电子设备在说明书摘要公布了:本发明涉及一种半导体结构及其制造方法以及一种电子设备。该组件包括基底、多个体声波谐振器及至少一个冗余结构。至少两个谐振器在基底的一侧叠置以形成谐振器叠置单元。下谐振器的顶电极与上谐振器的底电极之间设置有声学解耦层,声学解耦层构成上谐振器的声学镜。所述至少一个冗余结构与多个谐振器中的至少一个谐振器在基底的所述一侧叠置以形成冗余叠置单元,冗余叠置单元与谐振器叠置单元在基底的所述一侧在水平方向上并置,冗余结构包括冗余压电层,冗余压电层与谐振器叠置单元中的对应压电层同层,冗余叠置单元中的谐振器的顶电极、压电层和底电极分别与谐振器叠置单元中的同层谐振器的顶电极、压电层和底电极同层设置。
本发明授权带冗余结构的半导体结构及制造方法、电子设备在权利要求书中公布了:1.一种半导体结构,包括: 基底; 多个谐振器,所述多个谐振器均为体声波谐振器,所述多个谐振器包括至少一个谐振器叠置单元,所述谐振器叠置单元至少包括在基底的厚度方向上在基底的一侧叠置的第一谐振器和第二谐振器,第二谐振器在第一谐振器的上方,第一谐振器包括第一顶电极、第一压电层、第一底电极和第一声学镜,第二谐振器包括第二顶电极、第二压电层、第二底电极和第二声学镜, 其中: 所述半导体结构还包括至少一个不具有谐振器功能的冗余结构,所述至少一个冗余结构与所述多个谐振器中的至少一个谐振器在基底的厚度方向上在基底的所述一侧叠置以形成冗余叠置单元,所述冗余叠置单元与所述谐振器叠置单元在基底的所述一侧在水平方向上并置,所述冗余结构包括冗余压电层,所述冗余压电层与所述谐振器叠置单元中的对应压电层同层,所述冗余叠置单元中的谐振器的顶电极、压电层和底电极分别与谐振器叠置单元中的同层谐振器的顶电极、压电层和底电极同层设置。
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