三星电子株式会社金禹成获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利基于深度学习在掩模上形成形状的方法、以及使用在掩模上形成形状的方法的掩模制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114063383B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110355528.0,技术领域涉及:G03F1/70;该发明授权基于深度学习在掩模上形成形状的方法、以及使用在掩模上形成形状的方法的掩模制造方法是由金禹成;姜旻澈;沈宇宙设计研发完成,并于2021-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于深度学习在掩模上形成形状的方法、以及使用在掩模上形成形状的方法的掩模制造方法在说明书摘要公布了:本文提供了形成掩模的方法、准确并快速地将掩模上的图像恢复为掩模上的形状的方法、以及使用形成掩模的方法的掩模制造方法。形成掩模的方法包括:通过对掩模上与晶片上的第一图案相对应的形状执行栅格化和图像校正来获得第一图像;通过对掩模上的形状进行变换来获得第二图像;基于第一图像中的一个第一图像与第二图像中的一个第二图像之间的变换关系执行深度学习,其中第二图像对应于所述第一图像;以及基于深度学习,在掩模上形成与晶片上的目标图案相对应的目标形状。基于掩模上的目标形状来制造掩模。
本发明授权基于深度学习在掩模上形成形状的方法、以及使用在掩模上形成形状的方法的掩模制造方法在权利要求书中公布了:1.一种形成掩模的方法,所述方法包括: 通过对所述掩模上与晶片上的第一图案相对应的形状执行栅格化和图像校正来获得第一图像; 通过对所述掩模上的形状应用变换来获得第二图像,所述变换包括带符号的距离计算; 基于所述第一图像与所述第二图像之间的变换关系执行深度学习,其中所述第二图像对应于所述第一图像; 基于所述深度学习,在所述掩模上形成与所述晶片上的目标图案相对应的目标形状;以及 基于所述掩模上的目标形状来制造所述掩模; 其中所述图像校正包括将所述掩模校正为与所需的目标图案相对应的掩模图像。
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