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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利鳍式二极管结构及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113745160B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111038290.5，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权鳍式二极管结构及其方法是由周友华设计研发完成，并于2018-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本鳍式二极管结构及其方法在说明书摘要公布了：一种用于形成鳍式底部二极管的方法和结构包括提供具有多个从其上延伸的鳍的衬底。多个鳍中的每个包括衬底部分和衬底部分上方的外延层部分。第一掺杂层形成在多个鳍中的每个的衬底部分的第一区域的侧壁上。在形成第一掺杂层之后，执行第一退火工艺以在衬底部分的第一区域内形成第一二极管区域。第二掺杂层形成在多个鳍中的每个的衬底部分的第二区域的侧壁上。在形成第二掺杂层之后，执行第二退火工艺以在多个鳍中的每个的衬底部分的第二区域内形成第二二极管区域。本发明的实施例还涉及鳍式二极管结构及其方法。

本发明授权鳍式二极管结构及其方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 提供具有从衬底延伸的多个鳍的衬底，其中，所述多个鳍中的每个包括衬底部分和位于所述衬底部分上方的外延层部分； 在所述多个鳍中的每个的所述衬底部分的第一区域的侧壁上形成第一掺杂层； 在形成所述第一掺杂层之后，执行第一退火工艺以在所述多个鳍中的每个的所述衬底部分的所述第一区域内形成第一二极管区域； 在所述多个鳍中的每个的所述衬底部分的第二区域的侧壁上形成第二掺杂层；以及 在形成所述第二掺杂层之后，执行第二退火工艺以在所述多个鳍中的每个的所述衬底部分的所述第二区域内形成第二二极管区域，所述第一二极管区域与所述第二二极管区域形成P-N二极管， 其中，在形成所述第二掺杂层之前，在介于所述多个鳍之间的凹槽内形成第一氧化物层，其中，所述第一氧化物层设置在所述第一掺杂层上方，在形成所述第一氧化物层之后，蚀刻并凹陷所述凹槽内的所述第一氧化物层以暴露所述多个鳍中的每个的所述外延层部分和所述衬底部分的所述第二区域的侧面，其中，在蚀刻并凹陷所述第一氧化物层之后以及执行所述第一退火工艺之前，凹陷的所述第一氧化物层和所述第一掺杂层保持在所述衬底部分的所述第一区域内的侧壁上，其中，在执行所述第一退火工艺之后以及在执行所述第二退火工艺之前，在所述凹槽内的所述多个鳍的侧壁上以及凹陷的所述第一氧化物层上共形地沉积所述第二掺杂层，并且在介于所述多个鳍之间的凹槽内形成第二氧化物层，其中，所述第二氧化物层设置在所述第二掺杂层上方。

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