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龙图腾网获悉无锡华润上华科技有限公司申请的专利具有引出结构的沟槽侧壁栅极及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113745158B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010477502.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权具有引出结构的沟槽侧壁栅极及其制造方法是由许超奇;陈淑娴;罗泽煌;马春霞设计研发完成，并于2020-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有引出结构的沟槽侧壁栅极及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有引出结构的沟槽侧壁栅极及其制造方法，所述方法包括：在基底上刻蚀形成第一、第二沟槽；向第一、第二沟槽内填充栅极材料；在基底上形成露出第一沟槽、且部分露出第二沟槽的刻蚀阻挡层；刻蚀第一沟槽中的栅极材料；去除刻蚀阻挡层后进行化学气相淀积，形成覆盖第一、第二沟槽的硅氧化物；通过普刻将第一沟槽中的栅极材料上的硅氧化物去除；以第一沟槽的侧壁留存的硅氧化物为阻挡层刻蚀第一沟槽中的栅极材料，在第一沟槽的底部侧壁形成沟槽侧壁栅极，与沟槽侧壁栅极连通为一体的第二沟槽内的栅极材料作为栅极引出结构。本发明第二沟槽中的栅极材料顶部可以停留在基底表面，可通过常规通孔工艺将栅极材料引出形成对栅极的电连接。

本发明授权具有引出结构的沟槽侧壁栅极及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种具有引出结构的沟槽侧壁栅极的制造方法，包括： 在基底上刻蚀形成沟槽结构，所述沟槽结构包括用于形成沟槽侧壁栅极的第一沟槽和用于形成引出结构的第二沟槽，所述第一沟槽与第二沟槽相连通； 向所述第一沟槽和第二沟槽内填充栅极材料，所述一沟槽和第二沟槽内的栅极材料连通为一体； 在所述基底上形成刻蚀阻挡层，所述刻蚀阻挡层露出所述第一沟槽，且部分露出所述第二沟槽，所述第二沟槽露出的宽度小于所述第二沟槽的宽度； 对所述第一沟槽中的栅极材料进行各向异性刻蚀至所需的高度，所述第二沟槽因部分露出从而使得第二沟槽中的栅极材料被刻蚀形成缺口； 去除所述刻蚀阻挡层后进行化学气相淀积，形成覆盖所述第一沟槽和第二沟槽的硅氧化物，且第二沟槽上的所述硅氧化物受所述缺口影响，从而厚度大于所述第一沟槽中的栅极材料上的硅氧化物厚度； 通过普刻将所述第一沟槽中的栅极材料上的硅氧化物去除使得所述第一沟槽中的栅极材料露出，所述第二沟槽上的所述硅氧化物仍部分保留在所述第二沟槽上，所述第二沟槽上保留的硅氧化物厚度为所述普刻采用各向异性刻蚀工艺，所述第一沟槽的侧壁在所述普刻后仍留存有所述硅氧化物； 以所述第一沟槽的侧壁留存的硅氧化物为阻挡层刻蚀所述第一沟槽中的栅极材料，在所述第一沟槽的底部侧壁形成所述沟槽侧壁栅极，与所述沟槽侧壁栅极连通为一体的所述第二沟槽内的栅极材料作为栅极引出结构。

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