台湾积体电路制造股份有限公司彭泰彦获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利用于半导体器件的图案化方法和由此产生的结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113539799B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110786715.4，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权用于半导体器件的图案化方法和由此产生的结构是由彭泰彦;陈文彦;陈志壕设计研发完成，并于2018-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于半导体器件的图案化方法和由此产生的结构在说明书摘要公布了：本发明的实施例提供了一种半导体器件以及形成半导体器件的方法。该方法包括在目标层上方形成第一掩模层，在第一掩模层上方形成多个间隔件，在多个间隔件上方形成第二掩模层，并图案化第二掩模层以形成第一开口，其中，在平面图中，开口的主轴在与多个间隔件中的间隔件的主轴垂直的方向上延伸。该方法还包括在开口中沉积牺牲材料，图案化牺牲材料，使用多个间隔件和图案化的牺牲材料蚀刻第一掩模层，使用蚀刻的第一掩模层蚀刻目标层以在目标层中形成第二开口，并且用导电材料填充目标层中的第二开口。
本发明授权用于半导体器件的图案化方法和由此产生的结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 介电层； 电源导轨，延伸穿过所述介电层，其中，所述电源导轨的侧壁包括一个或多个扭结； 第一组互连线，位于所述电源导轨第一侧上且位于所述介电层中；以及 第二组互连线，位于所述电源导轨第一侧上且位于所述介电层中，其中，所述一个或多个扭结的第一扭结横向地定位在所述第一组互连线和所述第二组互连线之间， 其中，所述第一组互连线和所述第二组互连线之间的间隔小于85.5nm， 其中，至所述电源导轨的所有接触件形成为距离所述电源导轨的边缘最小距离，所述最小距离为5nm至10nm。
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