京微齐力(北京)科技有限公司孙作金获国家专利权
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龙图腾网获悉京微齐力(北京)科技有限公司申请的专利一种存储器阵列获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113345496B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110559579.5,技术领域涉及:G11C16/04;该发明授权一种存储器阵列是由孙作金;薛庆华;王海力设计研发完成,并于2021-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储器阵列在说明书摘要公布了:本申请涉及集成电路技术领域,提供了一种存储器阵列,每列存储单元包括:多个存储单元,按照排列方向排成一列,每个存储单元的第一边缘区域设置有位线触点和互补位线触点,多个存储单元包括按相邻关系分为第一存储单元和第二存储单元构成的存储单元对,第一存储单元和第二存储单元各自的第二边缘区域连接以形成连接区域,连接区域位于第一存储单元和第二存储单元各自的第一边缘区域之间;两条位线,分别与第一存储单元和第二存储单元各自的位线触点一一对应连接;两条互补位线,分别与第一存储单元和第二存储单元各自的互补位线触点一一对应连接。通过本申请实施例提供的技术方案可降低位线上的负载,提高包含存储器阵列的FPGA的运行速度。
本发明授权一种存储器阵列在权利要求书中公布了:1.一种存储器阵列,其特征在于,所述存储器阵列中的每列存储单元包括: 多个存储单元,按照排列方向排成一列,每个所述存储单元的第一边缘区域设置有位线触点和互补位线触点,所述多个存储单元包括按相邻关系分为第一存储单元和第二存储单元构成的存储单元对,所述第一存储单元和第二存储单元各自的第二边缘区域连接以形成连接区域,所述连接区域位于所述第一存储单元和第二存储单元各自的第一边缘区域之间; 两条位线,分别与每个所述存储单元对中的第一存储单元和第二存储单元各自的位线触点一一对应连接; 两条互补位线,分别与每个所述存储单元对中的第一存储单元和第二存储单元各自的互补位线触点一一对应连接; 其中,每个所述存储单元连接一条字线,所述存储单元对中的第一存储单元和第二存储单元共用一条字线; 所述多个存储单元在排列方向上按照第一存储单元、第二存储单元、第二存储单元和第一存储单元的方式进行排成一列。
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