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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利蚀刻方法和等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113257670B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110061366.X，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权蚀刻方法和等离子体处理装置是由石田和香子;菊池正明;富樫涉;畑村安则设计研发完成，并于2021-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本蚀刻方法和等离子体处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供能够良好地维持蚀刻的面内的均匀性的蚀刻方法和等离子体处理装置。蚀刻方法包括：用第一处理气体的等离子体蚀刻基片的第一含硅膜的第一蚀刻步骤；和用第二处理气体的等离子体蚀刻基片的第二含硅膜的第二蚀刻步骤。蚀刻方法将第一蚀刻步骤至第二蚀刻步骤反复进行预定的次数。

本发明授权蚀刻方法和等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种对交替地层叠有多个第一含硅膜和第二含硅膜的基片进行蚀刻的蚀刻方法，其特征在于，包括： 用第一处理气体的等离子体蚀刻所述基片的所述第一含硅膜的第一蚀刻步骤；和 用第二处理气体的等离子体蚀刻所述基片的所述第二含硅膜的第二蚀刻步骤， 将所述第一蚀刻步骤至所述第二蚀刻步骤反复进行预定的次数， 所述基片的交替地层叠有所述第一含硅膜和所述第二含硅膜的多层膜中，所述第一含硅膜和所述第二含硅膜分别按每一个层或每多个层呈台阶形状地形成台阶， 在所述第一蚀刻步骤中，在所述基片的最表面露出了所述第一含硅膜， 在所述第一蚀刻步骤中，对从所述第一处理气体的等离子体入射到所述基片的离子的能量进行调整，使得由相对于所述第一含硅膜的垂直方向的入射角为0°的离子蚀刻的所述第一含硅膜的蚀刻量与由相对于所述第一含硅膜的垂直方向的入射角为60～75°的离子蚀刻的所述第一含硅膜的蚀刻量相同，从而台阶形状中各台阶的所述第一含硅膜的平坦部的蚀刻速率与该第一含硅膜的台阶形状的各台阶的前端部的蚀刻速率相同， 在所述第二蚀刻步骤中，在所述基片的最表面露出了所述第二含硅膜， 在所述第二蚀刻步骤中，对从所述第二处理气体的等离子体入射到所述基片的离子的能量进行调整，使得由相对于所述第二含硅膜的垂直方向的入射角为0°的离子蚀刻的所述第二含硅膜的蚀刻量与由相对于所述第二含硅膜的垂直方向的入射角为60～75°的离子蚀刻的所述第二含硅膜的蚀刻量相同，从而台阶形状中各台阶的所述第二含硅膜的平坦部的蚀刻速率与该第二含硅膜的台阶形状的各台阶的前端部的蚀刻速率相同。

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