意法半导体有限公司D·加尼获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉意法半导体有限公司申请的专利具有不同焊料体积的WLCSP封装体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053845B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011551025.2，技术领域涉及：H01L23/488；该发明授权具有不同焊料体积的WLCSP封装体是由D·加尼设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有不同焊料体积的WLCSP封装体在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及具有不同焊料体积的WLCSP封装体。本公开涉及具有带有不同的结构的接触件和凸块下金属UBM以及被耦合到所述接触件和UBM的不同量的焊料的各种组合的晶片级芯片尺寸封装体WLCSP。尽管所述接触件具有不同的结构并且焊料的体积也不同，但沿所述WLCSP的总支架高度仍保持基本上相同。被耦合到每个相应接触件和UBM的焊料的每个部分都包括离所述WLCSP的裸片的有源表面最远的点。焊料的每个相应部分的每个点与焊料的其他相应部分的相应点彼此共面。附加地，具有各种并且不同的结构的所述接触件被相应地定位在所述WLCSP的所述裸片的所述有源表面上，以减少可能因所述WLCSP被暴露于热循环或所述WLCSP被掉落而导致的故障。
本发明授权具有不同焊料体积的WLCSP封装体在权利要求书中公布了：1.一种电子器件，包括： 裸片，包括有源表面和无源表面，所述有源表面具有多个接触焊盘； 第一再钝化层，在所述裸片的所述有源表面上； 多个导电层，被耦合到所述裸片的所述多个接触焊盘，所述导电层在所述第一再钝化层上； 第二再钝化层，在所述第一再钝化层以及所述多个导电层上； 第一接触件，被耦合到所述多个导电层中的一者，所述第一接触件具有第一高度，所述第一接触件延伸到所述第二再钝化层中； 第二接触件，被耦合到所述多个导电层中的一者，所述第二接触件具有第二高度，所述第二高度小于所述第一高度，所述第二接触件延伸到所述第二再钝化层中；以及 第一导电结构，在所述第一接触件上，所述第一导电结构具有第三高度、以及距所述裸片的所述有源表面最远的第一点； 第二导电结构，在所述第二接触件上，所述第二导电结构具有第四高度、以及距所述裸片的所述有源表面最远的第二点，所述第四高度大于所述第三高度，所述第二点与所述第一点基本上共面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体有限公司，其通讯地址为：新加坡城；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励