台湾积体电路制造股份有限公司游承谚获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造半导体装置的方法及其装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113053819B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110156114.5，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权制造半导体装置的方法及其装置是由游承谚;巫柏奇;赖岳军设计研发完成，并于2021-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体装置的方法及其装置在说明书摘要公布了：一种制造半导体装置的方法及其装置，在一种制造包括FinFET的半导体装置的方法中，在基板上形成在第一方向上延伸的鳍片结构。在基板上形成隔离绝缘层以使得鳍片结构的上部部分自隔离绝缘层暴露。在鳍片结构的一部分上形成在与第一方向交叉的第二方向上延伸的栅极结构。在鳍片结构的源极漏极区域的侧壁上形成鳍片遮罩层。使鳍片结构的源极漏极区域凹陷。在凹陷的鳍片结构上形成磊晶源极漏极结构。在使鳍片结构的源极漏极区域凹陷中，使用组合蚀刻及沉积制程的电浆制程在沿第二方向的横截面中形成具有圆角形状的凹槽。
本发明授权制造半导体装置的方法及其装置在权利要求书中公布了：1.一种制造包括一鳍片式场效应晶体管的一半导体装置的方法，其特征在于，该方法包括： 在一基板上形成一鳍片结构，该鳍片结构在平面图中的一第一方向上延伸； 在该基板上形成一隔离绝缘层以使得该鳍片结构的一下部部分嵌入该隔离绝缘层中，且该鳍片结构的一上部部分自该隔离绝缘层暴露； 在该鳍片结构的一部分上形成一栅极结构，该栅极结构在与平面图中的该第一方向交叉的一第二方向上延伸； 在该鳍片结构的自该隔离绝缘层突出且未被该栅极结构覆盖的侧壁上及该隔离绝缘层的一上部表面上形成一鳍片遮罩层； 使该鳍片结构的一源极漏极区域凹陷；以及 在凹陷的该鳍片结构上形成一磊晶源极漏极结构； 其中在使该鳍片结构的该源极漏极区域凹陷中，使用组合蚀刻及沉积制程的一电浆制程形成一凹槽，其中该凹槽在沿该第一方向的一横截面与沿该第二方向的一横截面中皆具有一圆角形状，其中该凹槽自该凹槽的最顶部部分至该凹槽的最底表面所量测的凹槽深度与该凹槽自该隔离绝缘层的最顶部表面至该凹槽的最底表面所量测的凹槽深度的比率介于1.9至1.14之间。
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