三星电子株式会社蔡昇训获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体封装件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112951795B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011413690.5,技术领域涉及:H01L23/498;该发明授权半导体封装件是由蔡昇训;徐永官;李在彦;文昭渊;赵兮英;徐一钟设计研发完成,并于2020-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装件在说明书摘要公布了:一种半导体封装件包括:再分布衬底,具有第一表面和第二表面,以及绝缘构件和在所述绝缘构件中设置在不同水平高度并且电连接到一起的多个再分布层;多个凸块下金属UBM焊盘,位于所述绝缘构件中并且连接到所述多个再分布层当中的与所述第一表面相邻的再分布层,所述多个UBM焊盘具有暴露于所述再分布衬底的所述第一表面的下表面;虚设图案,在所述绝缘构件中位于所述UBM焊盘之间,所述虚设图案的下表面位于比所述UBM焊盘的下表面高的水平高度处;以及至少一个半导体芯片,位于所述再分布衬底的所述第二表面上,并且具有电连接到所述多个再分布衬底当中的与所述第二表面相邻的再分布层的多个接触焊盘。
本发明授权半导体封装件在权利要求书中公布了:1.一种半导体封装件,包括: 再分布衬底,所述再分布衬底具有彼此相对设置的第一表面和第二表面,并且包括绝缘构件和在所述绝缘构件中分别设置在多个不同水平高度并且彼此电连接的多个再分布层; 多个凸块下金属焊盘,所述多个凸块下金属焊盘设置在所述绝缘构件中并且连接到所述多个再分布层当中的与所述再分布衬底的所述第一表面相邻的再分布层,所述多个凸块下金属焊盘具有暴露于所述再分布衬底的所述第一表面的下表面; 虚设图案,所述虚设图案在所述绝缘构件中设置在所述多个凸块下金属焊盘之间,所述虚设图案的下表面位于比所述多个凸块下金属焊盘的下表面高的水平高度处,以及 至少一个半导体芯片,所述至少一个半导体芯片设置在所述再分布衬底的所述第二表面上,并且具有电连接到所述多个再分布层当中的与所述再分布衬底的所述第二表面相邻的再分布层的多个接触焊盘, 其中,所述多个凸块下金属焊盘和所述虚设图案具有基本共面的上表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社,其通讯地址为:韩国京畿道;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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