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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利非易失性存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112908386B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011300099.9，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权非易失性存储器装置是由崔容赫;柳载德;南尚完;朴相元;边大锡;任琫淳设计研发完成，并于2020-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本非易失性存储器装置在说明书摘要公布了：一种非易失性存储器装置包括第一半导体层、第二半导体层、控制电路和焊盘区域，第一半导体层包括上基板和存储器单元阵列，在上基板中设置有在第一方向上延伸的字线和在第二方向上延伸的位线。存储器单元阵列包括位于上基板上的竖直结构，并且该竖直结构包括存储器块。第二半导体层包括下基板，该下基板包括地址解码器和页缓冲器电路。竖直结构包括其中设置有一个或多个贯穿孔通孔的通孔区域，并且通孔区域在第二方向上间隔开。存储器单元阵列包括与位线中的不同位线对应的垫。至少两个垫根据在第一方向上距焊盘区域的距离包括不同数量的通孔区域。

本发明授权非易失性存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器装置，包括： 第一半导体层，其包括上基板和存储器单元阵列，在所述上基板中设置有在第一方向上延伸的多条字线以及在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸的多条位线，所述存储器单元阵列包括位于所述上基板上的竖直结构，其中，所述竖直结构包括多个存储器块； 第二半导体层，其在与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上位于所述第一半导体层下方，其中，所述第二半导体层包括下基板，所述下基板包括被配置为控制所述存储器单元阵列的多个地址解码器和多个页缓冲器电路； 控制电路，其被配置为响应于来自外部装置的命令和地址而控制所述多个地址解码器和所述多个页缓冲器电路；以及 焊盘区域，其在所述第一方向上与所述第一半导体层相邻设置并在所述第二方向上延伸， 其中，所述竖直结构包括其中设置有一个或多个贯穿孔通孔的多个通孔区域，并且所述多个通孔区域在所述第二方向上间隔开， 其中，所述存储器单元阵列包括与所述多条位线中的不同位线对应的多个垫，并且 其中，所述多个垫中的至少两个垫根据在所述第一方向上距所述焊盘区域的距离包括不同数量的通孔区域。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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