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龙图腾网获悉珠海迈巨微电子有限责任公司申请的专利驱动电路、集成器件、电池管理芯片及电池管理系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112865253B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110223208.X，技术领域涉及：H02J7/00；该发明授权驱动电路、集成器件、电池管理芯片及电池管理系统是由周号设计研发完成，并于2021-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本驱动电路、集成器件、电池管理芯片及电池管理系统在说明书摘要公布了：本公开提供了一种驱动电路，用于为控制电池组充电和放电的充电控制晶体管和放电控制晶体管提供控制信号，包括：第一驱动单元，第一驱动单元为放电控制晶体管提供电压控制信号，以便通过电压控制信号来控制放电控制晶体管的导通与断开；以及第二驱动单元，第二驱动单元为充电控制晶体管提供电流控制信号，以便通过电流控制信号来控制放电控制晶体管的导通与断开，其中，充电控制晶体管的栅极与源极之间连接有第一电阻，通过电流控制信号与第一电阻所生成的电压来控制充电控制晶体管的导通与断开。本公开还提供了一种集成器件、电池管理芯片及电池管理系统。

本发明授权驱动电路、集成器件、电池管理芯片及电池管理系统在权利要求书中公布了：1.一种驱动电路，用于为控制电池组充电和放电的充电控制晶体管和放电控制晶体管提供控制信号，其特征在于，包括： 第一驱动单元，所述第一驱动单元为所述放电控制晶体管提供电压控制信号，以便通过所述电压控制信号来控制所述放电控制晶体管的导通与断开； 第二驱动单元，所述第二驱动单元为所述充电控制晶体管提供电流控制信号，以便通过所述电流控制信号来控制所述充电控制晶体管的导通与断开，所述充电控制晶体管的栅极与源极之间连接有第一电阻，通过所述电流控制信号与所述第一电阻所生成的电压来控制所述充电控制晶体管的导通与断开； 所述第一驱动单元包括： 第一PMOS晶体管的源极连接至所述驱动电路的驱动电压，栅极连接第二PMOS晶体管的栅极，第一PMOS晶体管的漏极连接第二电阻的第一端，第一PMOS晶体管的栅极和漏极连接； 第二PMOS晶体管的源极连接驱动电压，漏极连接第一齐纳二极管的阴极；第一齐纳二极管的阳极连接第二齐纳二极管的阴极，第二齐纳二极管的阳极连接参考地； 第一NMOS晶体管的漏极连接第二电阻的第二端，源极连接参考地，栅极连接使能信号，通过使能信号来控制第一NMOS晶体管导通或断开； 第二NMOS晶体管的栅极通过第三电阻连接第一齐纳二极管的阴极，漏极连接驱动电压，源极连接至第四电阻的第一端及第三齐纳二极管的阳极，栅极连接第三齐纳二极管的阴极； 第三NMOS晶体管的漏极连接第一齐纳二极管的阴极，源极连接参考地，栅极连接反相器输出端，反相器输入端连接至使能信号； 第四NMOS晶体管的栅极连接反相器的输出端，源极连接参考地，漏极连接第五电阻的第二端，第五电阻的第一端连接第四电阻的第二端，第四电阻和第五电阻的连接点作为电压控制信号的输出端； 所述第二驱动单元为：第五PMOS晶体管的源极连接驱动电压，第六PMOS晶体管的源极连接驱动电压，第七PMOS晶体管的漏极连接第六电阻的第一端，第四PMOS晶体管的漏极连接第七电阻的第一端，第五NMOS晶体管的漏极连接第六电阻的第二端，第五NMOS晶体管的源极连接参考地，第五NMOS晶体管的栅极连接使能信号，第七电阻的第二端提供所述电流控制信号； 所述驱动电路的驱动电压通过电压转换单元所形成，所述电压转换单元将所述电池组的最高电压降压转换为第一电压，并且所述第一电压被升压转换为所述驱动电压。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海迈巨微电子有限责任公司，其通讯地址为：519000 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层147室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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