株式会社迪思科陈晔获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社迪思科申请的专利晶片的处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112786533B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011145268.6，技术领域涉及：H01L21/78；该发明授权晶片的处理方法是由陈晔设计研发完成，并于2020-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶片的处理方法在说明书摘要公布了：本发明提供晶片的处理方法，即使在对突起状的电极的头进行切削之后经过时间，也不会妨碍之后实施的接合。一种晶片的处理方法，该晶片在正面上由分割预定线划分而形成有多个具有突起状的电极的器件，其中，该晶片的处理方法包含如下的工序：切削工序，利用卡盘工作台的保持面对晶片的背面进行保持，利用与保持面平行地旋转的刀具对突起状的电极的头进行切削而使该头的高度一致，并且使金属面露出；热压接片敷设工序，将热压接片敷设于晶片的正面；热压接工序，对热压接片进行加热并且进行按压来进行热压接；以及剥离工序，在将晶片分割成各个器件芯片并将电极接合于布线基板之前，将热压接片从晶片剥离。
本发明授权晶片的处理方法在权利要求书中公布了：1.一种晶片的处理方法，该晶片在正面上由分割预定线划分而形成有多个具有突起状的电极的器件，通过在该正面覆盖有由合成树脂形成的底部填充材料而成为该电极被埋设的状态，其中， 该晶片的处理方法包含如下的工序： 切削工序，利用卡盘工作台的保持面对晶片的背面进行保持，利用与该保持面平行地旋转的刀具对突起状的电极的头的一部分和底部填充材料一同进行切削而使该头的高度一致而形成平坦面，并且使金属面从该底部填充材料露出； 热压接片敷设工序，将热压接片敷设于晶片的正面； 热压接工序，对热压接片进行加热并且进行按压来进行热压接；以及 剥离工序，在将晶片分割成各个器件芯片之前将该热压接片剥离，然后分割成各个器件芯片，将该电极接合于布线基板。
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