三星电子株式会社安圭焕获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件和制造该半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112768449B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011122787.0，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体器件和制造该半导体器件的方法是由安圭焕;金成洙;罗采昊;南雄植;卢东贤设计研发完成，并于2020-10-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和制造该半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本发明构思涉及半导体器件和制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：在衬底上的第一有源图案和第二有源图案，第一和第二有源图案在第一方向上彼此相邻且第一沟槽在第一有源图案与第二有源图案之间；在衬底上的第三有源图案和第四有源图案，第三有源图案和第四有源图案在第一方向上彼此相邻且第二沟槽在第三有源图案与第四有源图案之间。该半导体器件包括在第一沟槽中的第一器件隔离层和在第二沟槽中的第二器件隔离层。第二沟槽在第一方向上的宽度大于第一沟槽在第一方向上的宽度。第二器件隔离层包括从第二器件隔离层的顶表面突出的第一突起和第二突起。
本发明授权半导体器件和制造该半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 在衬底上的第一有源图案和第二有源图案，所述第一有源图案和所述第二有源图案在第一方向上彼此相邻且第一沟槽在所述第一有源图案与所述第二有源图案之间； 在所述衬底上的第三有源图案和第四有源图案，所述第三有源图案和所述第四有源图案在所述第一方向上彼此相邻且第二沟槽在所述第三有源图案与所述第四有源图案之间； 在所述第一沟槽中的第一器件隔离层；以及 在所述第二沟槽中的第二器件隔离层， 其中所述第二沟槽在所述第一方向上的宽度大于所述第一沟槽在所述第一方向上的宽度， 其中所述第二器件隔离层包括从所述第二器件隔离层的顶表面突出的第一突起和第二突起， 其中所述第一突起和所述第二突起与所述第三有源图案和所述第四有源图案间隔开，以及 其中所述第一突起和所述第二突起包括与所述第二器件隔离层相同的材料。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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