艾普凌科有限公司长谷川尚获国家专利权
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龙图腾网获悉艾普凌科有限公司申请的专利半导体装置及半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112750892B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011170199.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法是由长谷川尚;小山威;加藤伸二郎;川端康平设计研发完成，并于2020-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置100具有：半导体衬底1；场效应晶体管120，其配置于半导体衬底1上，并且用于模拟电路，具备P型栅电极7；层间绝缘膜8，其配置于场效应晶体管120上；以及氢阻挡金属膜10，其在层间绝缘膜8上配置于P型栅电极7的上方附近，对氢进行阻挡。
本发明授权半导体装置及半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其具有基准电压发生电路，其特征在于， 所述基准电压发生电路在半导体衬底上具有： 耗尽型场效应晶体管，其产生恒定电流，所述耗尽型场效应晶体管的栅电极与源区连接；以及 增强型场效应晶体管，其基于所述恒定电流产生电压，所述增强型场效应晶体管的漏区及栅电极连接于所述耗尽型场效应晶体管的源区，所述增强型场效应晶体管的所述栅电极是P型栅电极， 所述半导体装置具有： 层间绝缘膜，其配置于所述耗尽型场效应晶体管和所述增强型场效应晶体管的上方；以及 氢阻挡金属膜，其兼作在所述层间绝缘膜上配置于所述P型栅电极的上方附近的金属布线层，且兼作在与所述金属布线层相同的层上将所述耗尽型场效应晶体管的所述栅电极及所述源区和所述增强型场效应晶体管的所述P型栅电极及所述漏区连接的金属布线层，所述氢阻挡金属膜对氢进行阻挡， 在俯视观察所述半导体衬底时，配置于所述P型栅电极的上方附近的所述氢阻挡金属膜的面积至少在所述场效应晶体管的有源区中为所述P型栅电极的面积以上。
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