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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112687731B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010984326.8，技术领域涉及：H10D62/13；该发明授权半导体器件是由金孝珍;李智惠;李商文;李承勋设计研发完成，并于2020-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括：衬底；第一有源图案，在衬底上并在第一方向上延伸，第一有源图案的上部包括第一沟道图案；第一源极漏极图案，在第一沟道图案的上部中的凹陷中；以及栅电极，在第一有源图案上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，栅电极在第一沟道图案的顶表面和侧表面上，其中每个第一源极漏极图案包括依次提供在凹陷中的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层，第一沟道图案和第一至第三半导体层中的每个包括硅锗SiGe，第一半导体层具有比第一沟道图案的锗浓度和第二半导体层的锗浓度高的锗浓度。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底； 第一有源图案，在所述衬底上并在第一方向上延伸，所述第一有源图案的上部包括至少一个第一沟道图案； 第一源极漏极图案，在所述至少一个第一沟道图案的上部中的凹陷中；以及 栅电极，在所述第一有源图案上并在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，所述栅电极在所述至少一个第一沟道图案的顶表面和至少一个侧表面上， 其中： 每个所述第一源极漏极图案包括依次提供在所述凹陷中的第一半导体层、第二半导体层和第三半导体层， 所述至少一个第一沟道图案、所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层中的每个包括硅锗SiGe，并且 所述第一半导体层具有比所述至少一个第一沟道图案的锗浓度和所述第二半导体层的锗浓度高的锗浓度， 其中，所述至少一个第一沟道图案包括在所述第一方向上彼此相对且面对所述第一源极漏极图案的一对第一表面以及在所述第二方向上彼此相对、将所述一对第一表面彼此连接并与所述栅电极重叠的一对第二表面， 所述第一半导体层包括在所述第一表面上的第一部分和在所述第二表面上的第二部分， 所述至少一个第一沟道图案包括在所述第二方向上彼此间隔开的多个第一沟道图案， 所述第一半导体层的所述第一部分分隔开地且分别地提供在所述多个第一沟道图案上，以及 所述第三半导体层是覆盖所述第一半导体层的在所述第二方向上彼此分隔开的所述第一部分的单层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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