台湾积体电路制造股份有限公司周世培获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构及用于形成半导体结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447779B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911394510.0，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权半导体结构及用于形成半导体结构的方法是由周世培;卢玠甫设计研发完成，并于2019-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及用于形成半导体结构的方法在说明书摘要公布了：本发明的各种实施例涉及包括设置在半导体衬底内的接垫的半导体结构及用于形成半导体结构的方法。半导体衬底具有后侧表面及与后侧表面相对的前侧表面。半导体衬底的上表面在垂直方向上低于后侧表面。接垫延伸穿过半导体衬底。接垫包括位于半导体衬底的上表面之上的导电主体以及从半导体衬底的上表面上方延伸到前侧表面下方的导电突出部。接垫的顶表面与半导体衬底的后侧表面之间的垂直距离小于导电突出部的高度。第一接垫隔离结构延伸穿过半导体衬底且横向地环绕导电突出部。
本发明授权半导体结构及用于形成半导体结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 半导体衬底，具有后侧表面及与所述后侧表面相对的前侧表面，其中所述半导体衬底的上表面在垂直方向上低于所述后侧表面； 接垫，延伸穿过所述半导体衬底，其中所述接垫包括位于所述半导体衬底的所述上表面之上的导电主体以及从所述半导体衬底的所述上表面上方延伸到所述前侧表面下方的导电突出部，且其中所述接垫的顶表面与所述半导体衬底的所述后侧表面之间的垂直距离小于所述导电突出部的高度； 第一接垫隔离结构，延伸穿过所述半导体衬底且横向地环绕所述导电突出部；以及 导电环结构，上覆于所述半导体衬底的所述上表面，其中所述导电环结构横向地环绕所述导电主体且所述导电环结构的顶表面与所述接垫的所述顶表面对齐。
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