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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括栅极层和竖直结构的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112185966B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010629180.5，技术领域涉及：H10B41/10；该发明授权包括栅极层和竖直结构的半导体器件是由金俊亨;千志成设计研发完成，并于2020-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括栅极层和竖直结构的半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括：衬底上的竖直结构；以及衬底上的层间绝缘层和栅极层，其中，栅极层顺序堆叠在存储单元阵列区中并延伸到延伸区中，栅极层在延伸区中具有呈阶梯结构的焊盘区，第一竖直结构的表面面对栅极层，第二竖直结构的表面面对至少一个栅极层，第一竖直结构包括第一芯图案、第一半导体层和焊盘图案，第二竖直结构包括第二芯图案和第二半导体层，每个芯图案包括绝缘材料，并且第二半导体层的上表面和第二芯图案的上表面距衬底比第一芯图案的上表面距衬底更远。

本发明授权包括栅极层和竖直结构的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底的存储单元阵列区上的第一竖直结构； 所述衬底的与所述存储单元阵列区相邻的延伸区上的第二竖直结构； 堆叠结构，所述堆叠结构包括交替重复堆叠在所述衬底上的层间绝缘层和栅极层； 所述堆叠结构上的上绝缘层； 所述上绝缘层上的位线，其中，所述位线与所述第一竖直结构竖直重叠且不与所述第二竖直结构竖直重叠；以及 接触插塞，所述接触插塞穿透所述上绝缘层并电连接到焊盘图案和所述位线， 其中： 所述栅极层顺序堆叠在所述存储单元阵列区中并且延伸到所述延伸区中， 所述栅极层在所述延伸区中具有被布置成具有阶梯结构的焊盘区， 所述第一竖直结构的侧表面面对所述存储单元阵列区中的所述栅极层， 所述第二竖直结构的侧表面面对所述延伸区中的至少一个所述栅极层， 所述第一竖直结构包括第一芯图案、所述第一芯图案的侧表面上的第一半导体层和所述第一芯图案的上表面上的所述焊盘图案， 所述第二竖直结构包括第二芯图案和所述第二芯图案的侧表面上的第二半导体层， 所述第一芯图案和所述第二芯图案各自包括绝缘材料，以及 所述第二半导体层的上表面和所述第二芯图案的上表面距所述衬底比所述第一芯图案的所述上表面距所述衬底更远， 其中，所述半导体器件还包括： 所述堆叠结构与所述衬底之间的水平连接图案；以及 穿透所述堆叠结构的分隔结构， 其中： 所述水平连接图案与所述栅极层中的最下栅极层间隔开， 所述水平连接图案与所述第一竖直结构的所述第一半导体层接触； 所述衬底包括下衬底、所述下衬底上的上衬底以及所述下衬底与所述上衬底之间的外围电路区， 所述水平连接图案在所述上衬底与所述堆叠结构之间， 所述分隔结构的一部分与所述水平连接图案接触，以及 所述分隔结构的上表面在比所述第一竖直结构的上表面和所述第二竖直结构的上表面高的高度处。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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