三星电子株式会社南奇亨获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利制造存储器装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111933655B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010096593.1，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权制造存储器装置的方法是由南奇亨设计研发完成，并于2020-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造存储器装置的方法在说明书摘要公布了：提供了一种制造存储器装置的方法。该方法包括以下步骤：在基底上形成多条下导电线；在所述多条下导电线上形成多个存储器单元；形成限定多条第一线的开关堆叠件，所述多条第一线在多个存储器单元上沿第一方向平行地延伸；在开关堆叠件上形成上导电层；形成限定多条第二线的蚀刻掩模，所述多条第二线在上导电层上沿第二方向平行地延伸，第二方向与第一方向不同；通过使用蚀刻掩模蚀刻上导电层和开关堆叠件来形成多条上导电线和多个开关单元。
本发明授权制造存储器装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤： 在基底上形成多条下导电线； 在所述多条下导电线上形成多个存储器单元； 形成限定多条第一线的开关堆叠件，所述多条第一线在所述多个存储器单元上沿第一方向平行地延伸，其中，开关堆叠件包括上中间电极层、开关层和上电极层，并且其中，开关层形成在上中间电极层上； 在开关堆叠件上形成上导电层； 形成限定多条第二线的蚀刻掩模，所述多条第二线在上导电层上沿第二方向平行地延伸，第二方向不同于第一方向；以及 通过使用所述蚀刻掩模蚀刻上导电层和开关堆叠件来形成多条上导电线和多个开关单元，并且 其中，形成开关堆叠件的步骤包括：在第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和所述多个存储器单元上形成第四绝缘层；在第四绝缘层中形成沿第一方向平行地延伸并且使第一绝缘层、第二绝缘层和所述多个存储器单元暴露的多个第一凹进；以及在第四绝缘层中的所述多个第一凹进中形成上中间电极层、开关层和上电极层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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