意法半导体股份有限公司A·阿里戈尼获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111463183B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010075035.7，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权半导体器件及其制造方法是由A·阿里戈尼;G·格拉齐奥斯;A·桑纳设计研发完成，并于2020-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法。半导体芯片安装至引线框架的芯片安装部分，引线框架中的一个或多个引线被布置为面向芯片安装部分。引线位于第一平面中，并且芯片安装部位于第二平面中，第一平面和第二平面相互偏移，其间具有间隙。电子部件诸如电容器布置在芯片安装部分上并且在第一平面和第二平面之间垂直延伸。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种器件，包括： 半导体芯片， 引线框架，包括芯片安装部分，其中所述半导体芯片被安装到所述芯片安装部分，并且至少一个引线被布置为面向所述芯片安装部分，所述至少一个引线位于第一平面中，并且所述芯片安装部分位于第二平面，所述第一平面和所述第二平面相互偏移，其间具有间隙；以及 电子部件，被布置在所述芯片安装部分上，并且在所述第一平面和所述第二平面之间延伸； 其中： 所述至少一个引线被布置为面向所述芯片安装部分、并且至少部分地重叠所述芯片安装部分，所述电子部件在所述芯片安装部分与被布置为面向所述芯片安装部分的所述至少一个引线之间以桥状延伸；以及 所述电子部件在所述芯片安装部分和所述至少一个引线的侧面之间沿所述至少一个引线的侧向延伸，所述电子部件与所述侧面邻接，其中第一导电结构将所述电子部件电耦合至所述芯片安装部分，并且第二导电结构将所述电子部件电耦合至所述引线框架中的所述至少一个引线的所述侧面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体股份有限公司，其通讯地址为：意大利阿格拉布里安扎；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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