宇泉半导体(保定)有限公司张崇获国家专利权
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龙图腾网获悉宇泉半导体(保定)有限公司申请的专利一种并联多芯片均流的大功率SiC模块获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223513969U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422674346.1，技术领域涉及：H01L25/07；该实用新型一种并联多芯片均流的大功率SiC模块是由张崇;王志超;柏治国;赵冬;夏良兵;王新哲设计研发完成，并于2024-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种并联多芯片均流的大功率SiC模块在说明书摘要公布了：本实用新型涉及功率模块技术领域，公开了一种并联多芯片均流的大功率SiC模块，包括基板，所述基板由导电金属铜层、陶瓷绝缘层、下金属铜层构成，且由导电金属铜层构成功率模块电路布局，所述绝缘塑料外壳的左侧设置有交流端子，所述绝缘塑料外壳的顶端活动设置有绝缘盖板。本实用新型该并联多芯片均流的大功率SiC模块不仅实现可并联多颗开关元件，提高功率密度，还增加开关元件门极电阻，来控制开关元件的开通和关断，通过控制门极电阻的电压，精准控制开关速度以及开关时间，满足不同应用工况，且该功率SiC模块的基板散热面积大，有利于降低结温，同时该模块采用先进封装工艺，大大提高散热能力和可靠性。
本实用新型一种并联多芯片均流的大功率SiC模块在权利要求书中公布了：1.一种并联多芯片均流的大功率SiC模块，包括基板1，其特征在于：所述基板1由导电金属铜层2、陶瓷绝缘层3、下金属铜层4构成，且由导电金属铜层2构成功率模块电路布局，所述基板1顶端的前端设置有门极电阻5，所述基板1顶端的左侧安装有热敏电阻6，所述基板1的顶端均通过键合线8固定有开关元件7，所述基板1的底端安装有散热底板9，所述散热底板9的两侧均设置有金属压环15，所述基板1的外部安装有绝缘塑料外壳10，所述绝缘塑料外壳10顶端的前端设置有信号端子11，所述绝缘塑料外壳10右侧的前后两端分别设置有输入端子13和输出端子14，所述绝缘塑料外壳10的左侧设置有交流端子12，所述绝缘塑料外壳10的顶端活动设置有绝缘盖板16。
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