成都佳驰电子科技股份有限公司;成都皓晶电磁测控技术有限公司徐诗露获国家专利权
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龙图腾网获悉成都佳驰电子科技股份有限公司;成都皓晶电磁测控技术有限公司申请的专利电磁屏蔽复合膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120737421B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511240906.5，技术领域涉及：C08J9/36；该发明授权电磁屏蔽复合膜及其制备方法和应用是由徐诗露;祝维;代伟鹏;李维佳;郭仲前;陈良设计研发完成，并于2025-09-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本电磁屏蔽复合膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及电磁屏蔽技术领域，公开了电磁屏蔽复合膜及其制备方法和应用。电磁屏蔽复合膜的制备方法，包括：将聚乙二醇和异氰酸酯硅烷偶联剂在有机锡类催化剂存在的条件下进行亲和加成反应，之后与酸溶液混合进行水解，获得IPTS@PEG溶液；将MXene纳米片与IPTS@PEG溶液混合均匀后冷冻干燥，获得表面具有微孔结构的MIP基底；将分散液涂布至MIP基底的表面，AgNWs被拦截至MIP基底的表面形成银纳米线交织的网络层，得AMIP气凝胶；将AMIP气凝胶进行热压，获得表面具有致密银纳米线交织的网络层的电磁屏蔽复合膜。该制备方法制得的复合膜相较于共混方式制得的复合膜具有更好的电磁屏蔽效能。
本发明授权电磁屏蔽复合膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种电磁屏蔽复合膜的制备方法，其特征在于，包括： 将聚乙二醇和异氰酸酯硅烷偶联剂在有机锡类催化剂存在的条件下进行亲核加成反应，获得中间产物； 将所述中间产物与酸溶液混合进行水解反应，获得IPTS@PEG溶液； 将MXene纳米片与所述IPTS@PEG溶液混合均匀后冷冻干燥，获得表面具有微孔结构的MIP基底； 将含有AgNWs的分散液涂布至所述MIP基底的表面，所述分散液中的液相穿过微孔，AgNWs被拦截至所述MIP基底的表面形成银纳米线交织的网络层，使穿过所述微孔的液相挥发后获得AMIP气凝胶； 将所述AMIP气凝胶进行热压，获得表面具有致密银纳米线交织的网络层的电磁屏蔽复合膜。
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