合肥晶合集成电路股份有限公司王冉获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种具有倒圆角的浅沟槽隔离结构及其构造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120727653B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511208524.4，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种具有倒圆角的浅沟槽隔离结构及其构造方法是由王冉;林祐丞;杨智强;刘文慧;邱爽设计研发完成，并于2025-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有倒圆角的浅沟槽隔离结构及其构造方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体制造技术领域，公开一种具有倒圆角的浅沟槽隔离结构及其构造方法，该方法首先在衬底上构建硬掩模层，所述硬掩模层中具有开口，所述衬底的部分上表面从所述开口中露出；然后通过预先构建的倒圆角模型以及刻蚀模型对裸漏在外的衬底进行逐次循环刻蚀，且每次刻蚀的宽度逐渐递减，逐次循环刻蚀结束后，完成倒圆角的构建；每次循环刻蚀包括在硬掩模层以及部分裸露的衬底上沉积临时掩模层，并对未沉积临时掩模层的衬底进行刻蚀，然后去除临时掩模层；最后在与构建好的倒圆角相邻的衬底上构建浅沟槽隔离结构，完成具有倒圆角的浅沟槽隔离结构的构造。该方法精确控制倒圆角的形状和尺寸，确保了倒圆角的光滑程度。
本发明授权一种具有倒圆角的浅沟槽隔离结构及其构造方法在权利要求书中公布了：1.一种具有倒圆角的浅沟槽隔离结构的构造方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：在衬底上构建硬掩模层，所述硬掩模层中具有开口，所述衬底的部分上表面从所述开口中露出； S2：通过预先构建的倒圆角模型以及预先构建的刻蚀模型对裸漏在外的衬底进行逐次循环刻蚀，且每次刻蚀的宽度逐渐递减，所述逐次循环刻蚀结束后，完成浅沟槽隔离结构顶端倒圆角的构建；其中，每次循环刻蚀包括：在硬掩模层以及部分裸露的衬底上沉积临时掩模层，并对未沉积临时掩模层的衬底进行刻蚀，然后去除所述临时掩模层； S3：在与构建好的倒圆角相邻的衬底上构建浅沟槽隔离结构，完成所述具有倒圆角的浅沟槽隔离结构的构造。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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