Document
拖动滑块完成拼图
个人中心

预订订单
商城订单
发布专利 发布成果 人才入驻 发布商标 发布需求

请提出您的宝贵建议,有机会获取IP积分或其他奖励

投诉建议

在线咨询

联系我们

龙图腾公众号
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
当前位置 : 首页 > 专利喜报 > 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))王宏跃获国家专利权

中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))王宏跃获国家专利权

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

龙图腾网获悉中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))申请的专利基于反射率热成像的微电子器件薄弱部位定位方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120629261B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511136735.1,技术领域涉及:G01N25/72;该发明授权基于反射率热成像的微电子器件薄弱部位定位方法及系统是由王宏跃;陈亮设计研发完成,并于2025-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。

基于反射率热成像的微电子器件薄弱部位定位方法及系统在说明书摘要公布了:本申请涉及应用热方法测试技术领域,特别涉及一种基于反射率热成像的微电子器件薄弱部位定位方法及系统;该微电子器件薄弱部位定位方法包括:基于器件激励产生周期性脉冲信号且生成同步基准信号,初始状态下将至少一光源LED与至少一成像采集设备分别以和周期性脉冲信号相同或其整数倍频率进行同步触发;确定待测器件位于样品台处,接收待测器件的材料参数,且根据材料参数选择波长光源,并进行针对待测器件标定反射率关联于温度的第一系数;控制向待测器件施加若干激励脉冲,以使待测器件受到热激励,并同步通过预设的延迟时间触发LED脉冲,其中,延迟时间为从激励脉冲施加开始到LED脉冲触发之间的时间间隔。

本发明授权基于反射率热成像的微电子器件薄弱部位定位方法及系统在权利要求书中公布了:1.一种基于反射率热成像的微电子器件薄弱部位定位方法,其特征在于,包括: 基于器件激励产生周期性脉冲信号且生成同步基准信号,初始状态下将至少一光源LED与至少一成像采集设备分别以和所述周期性脉冲信号相同或其整数倍频率进行同步触发; 确定待测器件位于样品台处,接收所述待测器件的材料参数,且根据所述材料参数选择波长光源,并进行针对所述待测器件标定反射率关联于温度的第一系数; 控制向待测器件施加若干激励脉冲,以使待测器件受到热激励,并同步通过预设的延迟时间触发LED脉冲,其中,延迟时间为从激励脉冲施加开始到LED脉冲触发之间的时间间隔; 在LED脉冲触发时测量所述待测器件在加热延迟时刻的反射率,通过多个时刻下的反射率变化与所述第一系数,计算得到器件在激励过程中的瞬态温度分布; 所述基于器件激励产生周期性脉冲信号且生成同步基准信号,初始状态下将至少一光源LED与至少一成像采集设备分别以和所述周期性脉冲信号相同或其整数倍频率进行同步触发,包括: 根据器件激励,通过TTI系统生成与器件激励频率相同的同步基准信号; 其中,将所述光源LED的触发频率和所述同步基准信号的同步激励频率一致,所述成像采集设备的触发频率设置为同步激励频率的n倍; 针对所述待测器件的材料参数选择波长光源,并标定所述待测器件的反射率关联于温度的第一系数,包括: 分别测量所述待测器件各组成材料区域的初始反射率R及温升引起的ΔR,并通过以下公式计算对应第一系数; ; 其中,为所述待测器件该点材料在特定波长下的反射率关联于温度的第一系数;ΔT表示所述待测器件表面某点的温度变化;ΔR为所述待测器件该点反射率的变化量;R0为所述待测器件该点初始反射率。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)),其通讯地址为:510000 广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。