清华大学;粤港澳大湾区(广东)国创中心李玉兰获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学;粤港澳大湾区(广东)国创中心申请的专利锗晶体加工方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120588026B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511105893.0，技术领域涉及：B24B1/00；该发明授权锗晶体加工方法及设备是由李玉兰;钟庆霞;李秀霞;常建平;梁文青;唐维优;于海军;何力;付逸冬;李元景设计研发完成，并于2025-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本锗晶体加工方法及设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种锗晶体加工方法及设备，涉及半导体探测器领域，锗晶体加工方法包括：利用第一刀具与研磨浆，自锗晶体的铣面进行切削，以形成切削面，其中，研磨浆中包括研磨粉和液体载体，第一刀具嵌设多个第一磨粒，在第一刀具的旋转切削状态下，第一磨粒能带动研磨浆中的研磨粉对锗晶体的铣面进行切削；利用第二刀具与抛光浆，对切削面抛光，其中，研磨浆中的粉粒浓度大于抛光浆中的粉粒浓度；解决了现有高纯锗晶体表面在加工效率和加工精度上存在不足的问题。
本发明授权锗晶体加工方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种锗晶体加工方法，其特征在于，所述方法包括： 利用第一刀具与研磨浆，自锗晶体的铣面进行切削，以形成切削面，其中，所述研磨浆中包括研磨粉和液体载体，所述第一刀具嵌设多个第一磨粒，在所述第一刀具的旋转切削状态下，所述第一磨粒能带动所述研磨浆中游离的研磨粉的粉粒形成运动的微切削单元，所述微切削单元与所述第一刀具对所述锗晶体的铣面进行切削； 利用第二刀具与抛光浆，对所述切削面抛光，以形成抛光表面，其中，所述抛光浆由去离子水制成，所述第二刀具嵌设多个第二磨粒，所述第一刀具镶嵌的第一磨粒的目数小于所述第二刀具镶嵌的第二磨粒的目数，在所述第二刀具的旋转抛光状态下，所述抛光浆在所述第二磨粒与所述切削面间形成吸附边界层，以使所述第二磨粒对所述切削面进行剪切抛光。
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