甬矽半导体(宁波)有限公司徐玉鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉甬矽半导体(宁波)有限公司申请的专利2.5D衬底封装方法和封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120527239B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511014848.4，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权2.5D衬底封装方法和封装结构是由徐玉鹏;何正鸿设计研发完成，并于2025-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本2.5D衬底封装方法和封装结构在说明书摘要公布了：本申请提供一种2.5D衬底封装方法和封装结构，2.5D衬底封装方法包括：提供具有凹槽的基底；其中，凹槽为台阶槽；凹槽包括连通的第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽的深度大于第二凹槽的深度。在基底中形成导电柱。蚀刻基底以露出导电柱；在基底露出导电柱的一侧采用离子注入方式形成第一绝缘层；第一绝缘层覆盖基底表面以及导电柱露出部分的端面和侧壁。研磨第一绝缘层以露出导电柱的端面。在第一绝缘层远离基底的一侧形成具有布线层的介质层；布线层和导电柱电连接。可以提高导电柱和基底的结合力，防止研磨过程中导电柱断裂或与基底分层，进而提高导电柱的传输性能。
本发明授权2.5D衬底封装方法和封装结构在权利要求书中公布了：1.一种2.5D衬底封装方法，其特征在于，包括： 提供具有凹槽的基底；其中，所述凹槽为台阶槽；所述凹槽包括连通的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽的深度大于所述第二凹槽的深度； 在所述基底中形成导电柱；其中，所述基底包括相对设置的第一表面和第二表面；在所述基底上形成贯穿所述第一表面和所述第二表面的贯穿孔；在所述贯穿孔内电镀金属形成所述导电柱； 在所述基底上开设连通孔，所述连通孔用于连通所述基底两侧的所述第一凹槽；在所述连通孔内形成边缘金属柱； 蚀刻所述基底以露出所述导电柱； 在所述基底露出导电柱的一侧采用离子注入方式形成第一绝缘层；所述第一绝缘层覆盖所述基底表面以及所述导电柱露出部分的端面和侧壁； 研磨所述第一绝缘层以露出所述导电柱的端面； 在所述第一绝缘层远离所述基底的一侧形成具有布线层的介质层；所述布线层和所述导电柱电连接。
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