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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利用于SRAM分析的模型生成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120524894B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510990301.1，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权用于SRAM分析的模型生成方法是由牟田哲也设计研发完成，并于2025-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于SRAM分析的模型生成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于SRAM分析的模型生成方法，属于半导体技术领域，所述方法包括：获取实测值数据集，并根据实测值数据集中的阈值电压计算出三维分布协方差矩阵，进而计算出三维马氏距离；根据被指定的概率值在三维空间内确定等概率椭圆体，并提取存位于等概率椭圆体表面的等概率数据集；根据实测值数据集中的阈值电压以及漏极电流计算出二维分布协方差矩阵，进而计算出二维马氏距离；根据被指定的概率值在二维平面内确定出等概率椭圆，并在等概率椭圆上确定出对应的漏极电流；根据等概率数据集中的阈值电压和在等概率椭圆上确定出的漏极电流计算出偏移值。通过本发明提供的用于SRAM分析的模型生成方法，可提高预测产出率的精确度。

本发明授权用于SRAM分析的模型生成方法在权利要求书中公布了：1.一种用于SRAM分析的模型生成方法，其特征在于，至少包括以下步骤： 获取实测值数据集，且所述实测值数据集中包括下拉晶体管的阈值电压和漏极电流、上拉晶体管的阈值电压和漏极电流，以及通路栅极晶体管的阈值电压和漏极电流； 对三维空间的坐标轴分配所述下拉晶体管的阈值电压、所述上拉晶体管的阈值电压以及所述通路栅极晶体管的阈值电压，并根据所述实测值数据集中的阈值电压计算出三维分布协方差矩阵，进而计算出实测数据集的三维马氏距离； 根据被指定的概率值在所述三维空间内确定等概率椭圆体，并提取存位于所述等概率椭圆体表面的等概率数据集； 按照每个所述下拉晶体管、所述上拉晶体管以及所述通路栅极晶体管，对二维平面的坐标轴分配阈值电压以及漏极电流，并根据所述实测值数据集中的每个所述下拉晶体管、所述上拉晶体管以及所述通路栅极晶体管对应的多个阈值电压以及漏极电流计算出二维分布协方差矩阵，进而计算出所述实测值数据集的二维马氏距离； 根据被指定的概率值在所述二维平面内确定出等概率椭圆，并在所述等概率椭圆上确定出与所述等概率数据集中的阈值电压对应的漏极电流； 根据所述等概率数据集中的阈值电压和在所述等概率椭圆上确定出的漏极电流计算出偏移值，并向网络列表中写入所述偏移值。

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